[發明專利]一種InSb光導器件及其制備方法在審
| 申請號： | 201610122190.3 | 申請日： | 2016-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN105720128A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發明（設計）人： | 馬可軍;俞振中;鄭律 | 申請（專利權）人： | 江蘇森尼克電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛 |
| 地址： | 215634 江蘇省蘇州市張家港*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 insb 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種InSb光導器件，包括InSb光敏元件，其特征在于：所述InSb光敏元件通過擴散法摻雜有P型雜質。
2.根據權利要求1所述的InSb光導器件，其特征在于：所述P型雜質為Zn或Cd。
3.根據權利要求1所述的InSb光導器件，其特征在于：所述P型雜質的摻雜濃度為5×1016~1×1017cm-3。
4.根據權利要求1所述的InSb光導器件，其特征在于：所述InSb光敏元件的厚度為5~15μm。
5.根據權利要求4所述的InSb光導器件，其特征在于：所述InSb光敏元件的厚度為10μm。
6.一種權利要求1-5任一項中所述的InSb光導器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：取高純InSb光敏元件，采用擴散法向高純InSb光敏元件內擴散摻雜P型雜質，獲得所述摻雜有P型雜質的InSb光敏元件。
7.根據權利要求6所述的InSb光導器件的制備方法，其特征在于：將高純InSb光敏元件和P型雜質：Sb源放置于雙溫區真空石英管內，高純InSb光敏元件區的溫度為400~500℃，P型雜質：Sb源區的溫度低于高純InSb光敏元件區的溫度。
8.根據權利要求6所述的InSb光導器件的制備方法，其特征在于：取高純InSb晶體材料，通過切割、研磨、拋光、光刻成型制得厚度為5~15μm的高純InSb光敏元件。
9.根據權利要求8所述的InSb光導器件的制備方法，其特征在于：高純InSb光敏元件的厚度為10μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
