[發明專利]一種銀的納米薄膜的原位電化學制備方法

有效

• 申請號: 201610117588.8
• 申請日: 2016-03-02
• 公開（公告）號: CN105506726B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 萬曄;宋熠凱;宋智遠;王歡;高飛
• 申請（專利權）人: 沈陽建筑大學
• 主分類號: C25F3/02
• 分類號: C25F3/02
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙)21234
• 代理人: 呂敏

1.一種銀的納米薄膜的原位電化學制備方法，其特征是，包括步驟如下：

（1）將銀基片用蒸餾水和無水乙醇分別清洗，并用氮氣將其表面吹干；

（2）將氫氧化鈉試劑加入到蒸餾水中，攪拌使固體溶解，形成氫氧化鈉溶液，使溶液的摩爾濃度范圍在0.1mol/L到2mol/L之間；

（3）將電解池三孔分別連接銀基片、飽和甘汞電極參比電極和鉑網對電極，且參比電極位于銀基片和對電極之間，銀基片為工作電極，將三個電極分別與電化學工作站的三個對應電極連接；

（4）設置電化學極化過程中的掃描速度、起始電位、中間電位和終點電位，起始電位范圍為-0.5V～ -0.12V，正向掃描到中間電位，范圍為0.3V～0.8V，然后，反向掃描到達終點電位，范圍為-0.5V～ -0.12V，完成一個循環伏安極化過程；將步驟（2）配制的溶液置入電解池中，對銀基片進行電化學極化，得到銀的納米薄膜，所述銀的納米薄膜微觀結構為顆粒狀；所述的電化學極化過程至少完成兩個完整循環伏安極化后，停止極化過程。

2.根據權利要求1所述的銀的納米薄膜的原位電化學制備方法，其特征是：所述步驟（4）在電解液溫度為25°C的條件下進行電化學極化。

3.根據權利要求1所述的銀的納米薄膜的原位電化學制備方法，其特征是，所述步驟（4）的電化學極化過程中掃描速度范圍為0.01mV/s ～ 40mV/s。

4.根據權利要求1所述的銀的納米薄膜的原位電化學制備方法，其特征是：所述步驟（4）制備得到銀的納米薄膜后，立即取出，用蒸餾水沖洗后，用氮氣吹干。

5.根據權利要求1所述的銀的納米薄膜的原位電化學制備方法，其特征是：所述步驟（2）的氫氧化鈉溶液采用氫氧化鉀溶液代替。

6.根據權利要求1所述的銀的納米薄膜的原位電化學制備方法，其特征是：所述銀的納米薄膜是在銀基片上原位生長出來的。