[發(fā)明專利]導線架

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610116809.X
• 申請日: 2016-03-02
• 公開（公告）號: CN107154392B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方雅貞
• 申請（專利權(quán)）人: 順德工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 11127 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭曉宇<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發(fā)明關(guān)于一種導線架，其包含一金屬基底、一鍍銀層及一氧化銀層，該鍍銀層形成在該金屬基底及該氧化銀層之間，其中該氧化銀層之外表面具有極性，且該氧化銀層的厚度系1.3納米以上。所述的氧化銀層能有利于提高導線架與封裝塑料之間的結(jié)合力，從而避免導線架與封裝塑料發(fā)生脫層的問題，以期能符合更嚴苛的環(huán)境耐濕敏性條件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種導線架，特別是關(guān)于一種表面具有鍍銀層的導線架。

背景技術(shù)

導線架(lead frame)是半導體工藝和發(fā)光二極管工藝中重要的元件，其作用在于支撐芯片外，亦可作為將電子元件的內(nèi)部功能傳輸至外部銜接的電路板。

如圖9所示，現(xiàn)有技術(shù)的導線架包含一金屬基底71及一鍍銀層72。于電子封裝工藝中，將芯片81固定于導線架的鍍銀層72上，并以多個金屬線82將芯片81與鍍銀層72電連接，藉此提供傳遞電子信號的功能；最后，再利用封裝塑料91包覆導線架、芯片81及多個金屬線82上，以利用封裝塑料91保護導線架、芯片81和金屬線 82不受到物理或化學性的損壞，從而達到封裝和保護集成電路的目的。

由于銀具有良好的導電性，現(xiàn)有技術(shù)于金屬基底71上形成鍍銀層72雖能有助于加快信號傳遞的速度；然而，該鍍銀層72與封裝塑料91間仍然存在結(jié)合力不足的缺點，致使封裝塑料91吸濕后易衍生脫層的問題。

為能滿足更嚴苛的環(huán)境耐濕敏性條件，現(xiàn)有技術(shù)提供一種金屬表面處理技術(shù)，其利用刻蝕方式對該導線架的金屬基底進行表面粗糙化，再于粗糙化的金屬基底上形成鍍銀層，藉此令該鍍銀層的表面獲得相應的粗糙化處理。據(jù)此，所述的粗糙化處理能增加封裝塑料和鍍銀層表面的接觸面積，進而提升導線架與封裝塑料之間的結(jié)合力。

采用金屬表面處理技術(shù)雖能設(shè)法降低封裝層和導線架之間發(fā)生脫層的可能性；但此種粗糙化表面卻會降低打線焊接于經(jīng)粗糙化的金屬基底或者打線焊接于經(jīng)粗糙化的鍍銀層的結(jié)合力，致使上述導線架容易因打線接合力不足而發(fā)生打線脫落、甚至芯片與外部電路斷路的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷，本發(fā)明的目的在于改良導線架的膜層結(jié)構(gòu)，從而在兼顧導線架與打線之間結(jié)合力的前提下，提升導線架與封裝塑料間的結(jié)合力。

為達成前述目的，本發(fā)明提供一種導線架，該導線架包含：

一金屬基底；

一鍍銀層，其形成在該金屬基底上；及

一氧化銀層，其形成在該鍍銀層上，即該鍍銀層形成在該金屬基底及該該氧化銀層之間，其中該氧化銀層的外表面具有極性，且該氧化銀層的厚度為1.3納米以上。

通過在導線架中形成具極性且適當厚度是氧化銀層，本發(fā)明是導線架不但能維持導線架與打線之間的結(jié)合力，更能進一步提高導線架與封裝塑料(即，高分子聚合物，例如：環(huán)氧樹酯等)之間的結(jié)合力，從而降低導線架與封裝塑料吸濕后發(fā)生脫層是可能性。此外，封膠工藝中設(shè)定的環(huán)境條件更能有利于帶走導線架表面物理吸附的水分子，使封裝產(chǎn)品中導線架與封裝塑料之間能具有良好的結(jié)合力，藉此避免水氣進入封裝產(chǎn)品，從而令本發(fā)明的導線架能通過更嚴苛的環(huán)境耐濕敏性條件。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的導線架的剖面示意圖。

圖2為本發(fā)明的導線架的俯視示意圖。

圖3為本發(fā)明另一導線架的剖面示意圖。

圖4為實施例1所制得的導線架中銀(3d)及氧(1s)元素的縱深分布圖。

圖5為對照例1所制得的導線架中銀(3d)及氧(1s)元素的縱深分布圖。

圖6為對照例2所制得的導線架中銀(3d)及氧(1s)元素的縱深分布圖。