[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610115048.6
• 申請日: 2016-03-01
• 公開（公告）號: CN105702685B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 盧彥春;蔣學兵
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

本發明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。其中，方法包括：在襯底上形成顯示區域的TFT結構，及所述GOA區域的TFT結構；在TFT結構上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層；采用半色調掩膜板，對所述光刻膠層進行曝光顯影，并對所述ITO層進行刻蝕，形成GOA區域電極層及顯示區域電極層；所述GOA區域電極層上剩余光刻膠的厚度大于所述顯示區域電極層上剩余光刻膠的厚度；對剩余光刻膠進行灰化處理，以完全去除所述顯示區域電極層上的光刻膠，及減薄所述GOA區域電極層上的光刻膠。本發明實施例中光刻膠能夠對GOA區域上的過孔形成保護，從而為進一步減小面板的邊框以形成TN型窄邊框顯示面板提供了可能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

隨著薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor-liquid crystal display，簡稱TFT-LCD)的技術發展，特別是小尺寸屏幕對窄邊框的要求越來越高，陣列基板行驅動技術(Gate Drive On Array，簡稱GOA)技術的使用更加頻繁。GOA技術可以將柵極驅動電路集成在TFT基板上，減少Gate IC的使用，并減小面板的邊框設計，使得面板更加符合技術的發展趨勢。

在TN型顯示面板的設計過程中，由于其液晶偏轉原理的特性，必須將彩膜基板側ITO電極層利用密封膠內的金Au球與陣列基板側的像素電極導通。而對于具有GOA設計的TN型面板，GOA區域的驅動電路設計有許多過孔，如圖1所示的GOA區域典型的過孔設計，其中101為Gate線金屬，102為Data線金屬，103為GI/PVX過孔，104為將兩層金屬導通的ITO。而GOA區域的過孔如果與彩膜基板側ITO電極層導通會造成顯示不良。現有TN型顯示面板的設計方法是：使密封膠涂覆位置與GOA電路保留一定距離，如此，就造成了TN型顯示面板邊框比ADS型產品的邊框寬。

發明內容

針對現有技術的缺陷，本發明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠解決現有技術中GOA區域的過孔容易與彩膜基板側ITO電極層導通，從而造成顯示不良的問題。

第一方面，本發明提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區域和GOA區域，該方法包括：

在襯底上形成顯示區域的薄膜晶體管TFT結構，及所述GOA區域的TFT結構；

在所述顯示區域的TFT結構和所述GOA區域的TFT結構上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層；

采用半色調掩膜板，對所述光刻膠層進行曝光顯影，并對所述ITO層進行刻蝕，形成GOA區域電極層及顯示區域電極層；所述GOA區域電極層上剩余光刻膠的厚度大于所述顯示區域電極層上剩余光刻膠的厚度；

對剩余光刻膠進行灰化處理，以完全去除所述顯示區域電極層上的光刻膠，及減薄所述GOA區域電極層上的光刻膠；

其中，所述GOA區域電極層通過第一過孔與柵線金屬層連接，所述GOA區域電極層通過第二過孔與數據線金屬層連接。

優選地，所述采用半色調掩膜板，對所述光刻膠進行曝光顯影，并對所述ITO層進行刻蝕，形成GOA區域電極層及顯示區域電極層，包括：

采用半色調掩膜板，對所述光刻膠層進行曝光，顯影后在所述GOA區域形成光刻膠完全去除區域和光刻膠完全保留區域，在所述顯示區域形成光刻膠完全去除區域和光刻膠部分保留區域；

對所述ITO層進行刻蝕，在所述光刻膠完全保留區域形成所述GOA區域電極層，在所述光刻膠部分保留區域形成所述顯示區域電極層。

優選地，所述半色調掩膜板包括：所述GOA區域電極層對應的不透光子掩膜板、所述GOA區域除電極層外對應的全透光子掩膜板、所述顯示區域電極層對應的半透光子掩膜板以及所述顯示區域除電極層外對應的全透光子掩膜板。