[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610115048.6
• 申請日: 2016-03-01
• 公開（公告）號: CN105702685B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 盧彥春;蔣學兵
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區域和GOA區域，其特征在于，該方法包括：

在襯底上形成顯示區域的薄膜晶體管TFT結構，及所述GOA區域的TFT結構；

在所述顯示區域的TFT結構和所述GOA區域的TFT結構上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層；

采用半色調掩膜板，對所述光刻膠層進行曝光顯影，并對所述ITO層進行刻蝕，形成GOA區域電極層及顯示區域電極層；所述GOA區域電極層上剩余光刻膠的厚度大于所述顯示區域電極層上剩余光刻膠的厚度；

對剩余光刻膠進行灰化處理，以完全去除所述顯示區域電極層上的光刻膠，及減薄所述GOA區域電極層上的光刻膠；

其中，所述GOA區域電極層通過第一過孔與柵線金屬層連接，所述GOA區域電極層通過第二過孔與數據線金屬層連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用半色調掩膜板，對所述光刻膠進行曝光顯影，并對所述ITO層進行刻蝕，形成GOA區域電極層及顯示區域電極層，包括：

采用半色調掩膜板，對所述光刻膠層進行曝光，顯影后在所述GOA區域形成光刻膠完全去除區域和光刻膠完全保留區域，在所述顯示區域形成光刻膠完全去除區域和光刻膠部分保留區域；

對所述ITO層進行刻蝕，在所述光刻膠完全保留區域形成所述GOA區域電極層，在所述光刻膠部分保留區域形成所述顯示區域電極層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述半色調掩膜板包括：所述GOA區域電極層對應的不透光子掩膜板、所述GOA區域除電極層外對應的全透光子掩膜板、所述顯示區域電極層對應的半透光子掩膜板以及所述顯示區域除電極層外對應的全透光子掩膜板。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述GOA區域電極層的光刻膠上方涂覆密封膠；

其中，所述密封膠用于粘接所述陣列基板與彩膜基板。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述顯示區域的TFT結構和所述GOA區域的TFT結構上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層，包括：

在所述顯示區域的TFT結構和所述GOA區域的TFT結構上形成第一絕緣層；

在所述GOA區域，形成貫穿所述第一絕緣層及柵絕緣層且與柵線金屬層接觸的第一過孔，及形成貫穿所述第一絕緣層且與所述數據線金屬層接觸的第二過孔；以及

在所述顯示區域，形成貫穿所述第一絕緣層且與源漏極接觸的第三過孔；

在所述第一過孔、所述第二過孔、所述第三過孔及所述第一絕緣層上依次形成ITO層及光刻膠層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述顯示區域電極層為像素電極。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

采用退火工藝，對所述GOA區域電極層上剩余的光刻膠進行熱固化。