[發明專利]互補型薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201610113713.8
• 申請日: 2016-02-29
• 公開（公告）號: CN105742309B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 曾勉;蕭祥志;張盛東
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/28
• 分類號: H01L27/28;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明公開一種互補型薄膜晶體管及其制造方法，所述互補型薄膜晶體管包含一基板、一N型半導體層、一P型半導體層、一第一鈍化層、一第一電極金屬層及一第二電極金屬層，所述N型半導體層設置在所述基板上方，所述N型半導體層包含一金屬氧化物材料；所述P型半導體層設置在所述N型半導體層上方，所述P型半導體層包含一有機半導體材料；所述第一鈍化層設置在所述N型半導體層及所述P型半導體層之間，且形成有至少一接觸過孔；所述第一電極金屬層及第二電極金屬層通過所述接觸過孔電性連接。

技術領域

本發明是有關于一種薄膜晶體管及其制造方法，特別是有關于一種互補型薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術

互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)是一種集成電路的設計制程，可以在硅質晶圓模板上制出N型溝道金屬氧化物半導體(n-type MOSFET,NMOS)和P型溝道金屬氧化物半導體(p-type MOSFET,PMOS)的基本組件，由于NMOS與PMOS在物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。CMOS在一般的制程上，可用來制作靜態隨機存儲器、微控制器、微處理器、以及互補式金屬氧化物半導體圖像傳感裝置與其他數位邏輯電路系統。也就是說，CMOS由P型溝道金屬氧化物半導體和N型溝道金屬氧化物半導體共同構成，而CMOS電路是作為集成電路中的基本電路結構。其中CMOS傳輸門由一個P型溝道和一個N型溝道MOSFET并聯而成，除了作為傳輸模擬信號的開關之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。

目前顯示面板中的基板大部分為玻璃基板或塑料基板(PEN)等，如圖1所示，為一種互補型薄膜晶體管的傳輸門(CTFTTransmission Gate)的電路圖，所述互補型薄膜晶體管的傳輸門電性連接脈沖觸發信號端CP、CN，且所述互補型薄膜晶體管的傳輸門具有一P型薄膜晶體管11，及一N型薄膜晶體管12，其中所述P型薄膜晶體管11及所述N型薄膜晶體管12形成并聯。

然而，在低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)的技術中，通過在溝道處使用不同類型的摻雜可以形成P型薄膜晶體管和N型薄膜晶體管，但其工藝流程較為復雜，而且其制備成本也比較高。

發明內容

本發明的目的在于提供一種互補型薄膜晶體管，通過在所述基板上方設置金屬氧化物材料的N型半導體層及有機半導體材料的P型半導體層，能夠用以改善器件特性。

本發明的另一目的在于提供一種互補型薄膜晶體管的制造方法，利用在N型半導體層形成步驟中形成金屬氧化物材料的N型薄膜晶體，及在P型半導體層形成步驟中形成有機半導體材料的P型薄膜晶體，可減少工藝制備流程并降低制造成本。

為達成本發明的前述目的，本發明一實施例提供一種互補型薄膜晶體管，其包含一基板、一N型半導體層、一P型半導體層、一第一鈍化層、一第一電極金屬層及一第二電極金屬層；所述N型半導體層設置在所述基板上方，其中所述N型半導體層包含一金屬氧化物材料；所述P型半導體層設置在所述N型半導體層上方，其中所述P型半導體層包含一有機半導體材料；所述第一鈍化層設置在所述N型半導體層及所述P型半導體層之間，且形成有至少一接觸過孔；所述第一電極金屬層形成在所述N型半導體層上；所述第二電極金屬層形成在所述第一鈍化層上，所述第一電極金屬層及第二電極金屬層通過所述接觸過孔電性連接。

在本發明的一實施例中，所述互補型薄膜晶體管還包含一第一柵極層及一絕緣層，所述第一柵極層形成在所述基板上，所述絕緣層形成在所述第一柵極層及所述基板上，其中所述N型半導體層形成在所述絕緣層上。

在本發明的一實施例中，所述互補型薄膜晶體管還包含一刻蝕阻擋層，形成在所述N型半導體層及所述絕緣層上。

在本發明的一實施例中，所述互補型薄膜晶體管的第一電極金屬層形成在所述絕緣層及所述N型半導體層上。