[發明專利]互補型薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201610113713.8
• 申請日: 2016-02-29
• 公開（公告）號: CN105742309B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 曾勉;蕭祥志;張盛東
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/28
• 分類號: H01L27/28;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管包含：

一基板；

一N型半導體層，設置在所述基板上方，其中所述N型半導體層包含一金屬氧化物材料；

一P型半導體層，設置在所述N型半導體層上方，其中所述P型半導體層包含一有機半導體材料；

一第一鈍化層，設置在所述N型半導體層及所述P型半導體層之間，且形成有至少一接觸過孔；

一第一電極金屬層，形成在所述N型半導體層上；及

一第二電極金屬層，形成在所述第一鈍化層上，所述第一電極金屬層及第二電極金屬層通過所述接觸過孔電性連接；

一第一柵極層，形成在所述基板上；

一絕緣層，形成在所述第一柵極層及所述基板上，其中所述N型半導體層形成在所述絕緣層上；

一第二鈍化層，形成在所述第二電極金屬層、所述第一鈍化層及所述P型半導體層上；及

一第二柵極層，形成在所述第二鈍化層上。

2.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管還包含一刻蝕阻擋層，形成在所述N型半導體層及所述絕緣層上。

3.如權利要求1或2所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管的第一電極金屬層，形成在所述絕緣層及所述N型半導體層上。

4.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述N型半導體層的金屬氧化物材料選自于銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物或鋅錫氧化物。

5.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述P型半導體層的有機半導體材料選自于并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物或花菁。

6.一種互補型薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步驟：

一第一柵極層形成步驟，將一第一柵極層形成在一基板上；

一絕緣層形成步驟，將一絕緣層形成在所述第一柵極層及所述基板上；

一N型半導體層形成步驟，將一N型半導體層形成在絕緣層上，其中所述N型半導體層包含一金屬氧化物材料；

一第一電極金屬層形成步驟，將一第一電極金屬層形成在所述N型半導體層及所述絕緣層上；

一第一鈍化層形成步驟，將一第一鈍化層形成在所述N型半導體層、所述第一電極金屬層及所述絕緣層上，并形成有至少一接觸過孔；

一第二電極金屬層形成步驟，將一第二電極金屬層形成在所述第一鈍化層上，且所述第一電極金屬層及第二電極金屬層通過所述接觸過孔電性連接；

一P型半導體層形成步驟，將一P型半導體層形成在所述第一鈍化層及所述第二電極金屬層上，其中所述P型半導體層包含一有機半導體材料；及

一第二柵極層形成步驟，將一第二鈍化層形成在所述第二電極金屬層、所述第一鈍化層及所述P型半導體層上，接著將一第二柵極層形成在所述第二鈍化層上。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述制造方法在所述N型半導體層形成步驟之后還包含：一刻蝕阻擋層形成步驟，將一刻蝕阻擋層形成在所述N型半導體層及所述絕緣層上。