[發明專利]倒置堆疊封裝件有效
| 申請號: | 201610110870.3 | 申請日: | 2016-02-29 |
| 公開(公告)號: | CN105742283B | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發明(設計)人: | 杜茂華 | 申請(專利權)人: | 三星半導體(中國)研究開發有限公司;三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 劉燦強 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒置 堆疊 封裝 | ||
技術領域
本發明涉及半導體封裝領域,本發明涉及一種倒置堆疊封裝件,更具體地講,涉及一種動態隨即存取存儲器(DRAM)倒置堆疊封裝件。
背景技術
在常規的DRAM雙芯片堆疊封裝中,兩個芯片垂直堆疊,分別用金線或者其它材質的線連接到基底。
服務器類電子產品,對于DRAM有高容量的要求,由于尺寸限制,無法通過增加芯片面積提高容量,因此采用堆疊方式,將2個芯片堆疊在1個封裝中,提高容量。
更具體地,在倒裝芯片中,圖1是示出現有倒裝芯片技術的封裝件100的剖視圖。現有技術的封裝件100包括基底110、多個芯片120a和120b以及包封構件130。多個芯片120a和120b通過粘合劑140順序地粘結到基底上,并且分別通過引線150與基底110電連接。包封構件130設置在基底110上,并將多個芯片120a和120b以及引線150包封。也就是說,在現有的結構中,由于全部使用線連接,連接長度長,互聯界面多,不利于電信號傳播,而且由于打線工藝時間長,所以生產周期比較長。
發明內容
本發明的目的在于提供一種倒置堆疊封裝件,所述倒置堆疊封裝件能夠通過改變堆疊方式,縮短互聯長度,減少互聯界面,同時提高生產效率。
為了實現上述目的,本發明的示例性實施例提供了一種倒置堆疊封裝件,所述倒置堆疊封裝件可以包括:基底,具有彼此背對的第一表面和第二表面;第一芯片,位于基底的第一表面上并且電連接到基底的第一表面;第二芯片,位于第一芯片上;柔性載帶,位于第一芯片與第二芯片之間,并且與第一芯片絕緣并將第二芯片電連接到基底;包封構件,位于基底上并且包封第一芯片、第二芯片和柔性載帶。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的柔性載帶可以包括:主體部,與第一芯片對應,并且電連接到第二芯片;翼部,從主體部向第一芯片的外部延伸,并且與基底的第一表面接觸并電連接到基底的第一表面。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的柔性載帶還可以包括:基材;線路層,位于基材上;阻焊層,位于線路層上,并且具有暴露線路層的多個開口,其中,第二芯片通過多個開口電連接到線路層,基材的與翼部對應的區域具有窗口,使得線路層通過窗口電連接到基底的第一表面。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的柔性載帶的阻焊層的多個開口位于主體部中。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的柔性載帶可以在主體部與翼部的連接處具有多個通孔,使得包封構件在流動過程中實現平衡流動。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的第一芯片可以通過凸點電連接到基底的第一表面。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的第二芯片可以通過凸點電連接到柔性載帶的線路層。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的基材可以包括聚酰亞胺。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件的柔性載帶的主體部和翼部可以通過粘合劑分別固定在第一芯片和基底上。
根據本發明的示例性實施例,倒置堆疊封裝件還可以包括連接到基底的第二表面的焊球。
根據本發明的多個實施例,通過改變堆疊方式,能夠使芯片與基底之間的互聯長度縮短,互聯界面減少,從而改善電性能,而且由于全部使用芯片整體貼裝互聯方式,可以提高生產效率。
附圖說明
通過下面結合示例性地示出一例的附圖進行的描述,本發明的上述和其他目的和特點將會變得更加清楚,其中:
圖1是示出現有倒裝芯片技術的封裝件的剖視圖;
圖2是示出根據本發明的示例性實施例的倒置堆疊封裝件的結構的示意性剖視圖;
圖3是示出根據本發明的示例性實施例的倒置堆疊封裝件的柔性載帶的剖視圖;
圖4是示出根據本發明的示例性實施例的倒置堆疊封裝件的柔性載帶的俯視圖。
具體實施方式
在下文中,將通過參考附圖對示例性實施例進行解釋來詳細描述本發明構思。然而,本發明構思可以按照多種不同形式具體實施,而不應當解釋為限制為本文所闡述的各實施例;相反,提供這些實施例是為了使得本公開是清楚且完整的,并且將向本領域普通技術人員充分地傳達本發明構思。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





