[發明專利]一種控制方法、射頻功率分配器以及ICP設備

有效

• 申請號: 201610109005.7
• 申請日: 2016-02-26
• 公開（公告）號: CN107134400B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 羅偉義;劉身健
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請公開了一種控制方法、射頻功率分配器、控制器以及ICP設備，該控制方法包括：獲取所述內線圈相對于所述外線圈的電流比的期望值；計算所述電流比為所述期望值時對應的所述第一電容以及所述第二電容的電容值；根據計算結果調節所述第一電容以及所述第二電容的電容值，使得所述內線圈相對于所述外線圈的電流比為所述期望值。控制方法根據所述第一電容以及所述第二電容的電容值與所述電流比之間對應關系，可以快速確定不同電流比時對應的所述第一電容以及所述第二電容的電容值，根據確定的電容值直接調節第一電容以及第二電容以獲取電流比的期望值，進而調節功率分配器的電流，達到調整輸出功率相對分配的目的。

技術領域

本發明涉及半導體器件制作技術領域，更具體的說，涉及一種控制方法、射頻功率分配器以及ICP設備。

背景技術

隨著微電子機械器件和微電子機械系統(MicroElectromechanical System，簡稱MEMS)被越來越廣泛的應用于汽車和電費電子等領域，硅通孔(Through Silicon Via，簡稱TSV)刻蝕技術在未來封裝領域具有廣闊前景，深硅刻蝕工藝逐漸成為MEMS制造領域和TSV技術中最炙手可熱的工藝之一。

電感耦合等離子體(ICP)設備是一種MEMS制造領域和TSV技術中的常用設備，ICP設備通過磁場產生等離子體，所述等離子體用于轟擊硅晶圓，對硅晶圓進行刻蝕。如何調節磁場是電感耦合等離子體設備領域亟待解決的問題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供了一種控制方法、射頻功率分配器、控制器以及ICP設備，通過調節所述內線圈相對于所述外線圈的電流比可以調節射頻功率分配器的磁場。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種控制方法，用于射頻功率分配器，射頻功率分配器包括：外線圈、內線圈、第一電容、第二電容、第三電容以及第四電容；所述外線圈的一端通過所述第一電容連接第一節點，其另一端通過所述第三電容連接第二節點，所述第一節點用于連接射頻匹配電路，并通過射頻匹配電路連接到射頻電源，所述第二節點用于連接接地端；所述內線圈的一端通過所述第二電容連接所述第一節點，其另一端通過所述第四電容連接所述第二節點；

該控制方法包括：

獲取所述內線圈相對于所述外線圈的電流比的期望值；

根據預設函數計算所述電流比為所述期望值時對應的所述第一電容以及所述第二電容的電容值；

根據計算結果調節所述第一電容以及所述第二電容的電容值，使得所述內線圈相對于所述外線圈的電流比為所述期望值；

其中，所述第一電容的電容值與所述第二電容的電容值之和為一預設常數；所述第三電容以及所述第四電容的電容值為固定值；所述預設函數是C1＝a*I³+b*I ²+c*I+d，C1為所述第一電容的電容值，a，b，c以及d為常數，I為所述電流比。

優選的，在上述控制方法中，所述計算所述電流比為所述期望值時對應的所述第一電容以及所述第二電容的電容值包括：

在所述電流比為所述期望值時，根據預設函數計算所述第一電容的電容值；

根據所述第一電容的電容值與所述第二電容的電容值的預設關系，計算所述第二電容的電容值。

優選的，在上述控制方法中，所述預設函數的計算方法包括：

將所述第一電容的電容值以所述電流比為變量進行級數展開；

通過實驗取點的方法，確定所述第一電容的電容值對應的級數展開式的各個次冪項的系數；