[發(fā)明專利]一種晶圓托環(huán)及具有該晶圓托環(huán)的反應(yīng)腔室在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610107767.3 | 申請日: | 2016-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN105575800A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董琪琪;賴朝榮;蘇俊銘 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶圓托環(huán) 具有 反應(yīng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓托環(huán)及具有該晶圓 托環(huán)的反應(yīng)腔室。
背景技術(shù)
隨著晶圓尺寸越做越大,晶圓在快速熱退火工藝中的邊緣效應(yīng)越來越嚴(yán) 重,受邊緣效應(yīng)影響的晶圓面積也越來越大。邊緣效應(yīng)主要是指由于晶圓邊 緣散熱較快,引起晶圓邊緣溫度和中心溫度不一致,進(jìn)而導(dǎo)致器件邊緣異常 或增加額外缺陷等不利情況。
目前,業(yè)界對消除快速熱退火工藝中的邊緣效應(yīng)之常用方法是在晶圓邊 緣增加熱補(bǔ)償,使得邊緣溫度和中心溫度一致。顯然地,業(yè)界所采用的邊緣 增加熱補(bǔ)償方式,對消除晶圓邊緣效應(yīng)有一定的作用。但是,晶圓邊緣的溫 度呈梯度分布,因此簡單的通過補(bǔ)償邊緣溫度無法保證邊緣與中心溫度一致, 僅能最大限度的將溫度控制在目標(biāo)溫度的較大范圍內(nèi),故嚴(yán)重的邊緣效應(yīng)在 所難免。
尋求一種結(jié)構(gòu)簡單、使用方便,并可有效避免晶圓邊緣效應(yīng)的晶圓托環(huán) 及具有該晶圓托環(huán)的反應(yīng)腔室已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題之 一。
故針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本案設(shè)計人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn), 積極研究改良,于是有了本發(fā)明一種晶圓托環(huán)及具有該晶圓托環(huán)的反應(yīng)腔室。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中,業(yè)界對消除快速熱退火工藝中的邊緣效應(yīng)之 常用方法是在晶圓邊緣增加熱補(bǔ)償,使得邊緣溫度和中心溫度一致,但由于 晶圓邊緣的溫度呈梯度分布,因此簡單的通過補(bǔ)償邊緣溫度無法保證邊緣與 中心溫度一致,僅能最大限度的將溫度控制在目標(biāo)溫度的較大范圍內(nèi),故嚴(yán) 重的邊緣效應(yīng)在所難免等缺陷提供一種晶圓托環(huán)。
本發(fā)明的又一目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中,業(yè)界對消除快速熱退火工藝中的 邊緣效應(yīng)之常用方法是在晶圓邊緣增加熱補(bǔ)償,使得邊緣溫度和中心溫度一 致,但由于晶圓邊緣的溫度呈梯度分布,因此簡單的通過補(bǔ)償邊緣溫度無法 保證邊緣與中心溫度一致,僅能最大限度的將溫度控制在目標(biāo)溫度的較大范 圍內(nèi),故嚴(yán)重的邊緣效應(yīng)在所難免等缺陷提供一種具有該晶圓托環(huán)的反應(yīng)腔 室。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之目的,本發(fā)明提供一種晶圓托環(huán),所述晶圓托環(huán)呈立體 狀設(shè)置,且待工藝處理之晶圓的面積小于所述晶圓托環(huán)之晶圓置入方向的上 端開口面積,并在所述晶圓托環(huán)內(nèi)形成用以承載所述待工藝處理之晶圓的卡 合部。
可選地,所述晶圓托環(huán)之卡合部通過在晶圓置入方向上形成漸變收緊而 成。
可選地,所述晶圓托環(huán)呈碗狀設(shè)置。
可選地,當(dāng)所述待工藝處理之晶圓置入所述晶圓托環(huán)時,所述待工藝處 理之晶圓的正面處于晶圓托環(huán)之上端開口的正面,所述晶圓依靠自重固定設(shè) 置在所述晶圓托環(huán)之卡合部處。
可選地,所述待工藝處理之晶圓僅邊緣外側(cè)與所述晶圓托環(huán)接觸。
可選地,所述待工藝處理之晶圓的轉(zhuǎn)速可達(dá)2000轉(zhuǎn)/min。
可選地,所述晶圓之邊緣溫度與所述晶圓之中心溫度一致。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之又一目的,本發(fā)明提供一種具有晶圓托環(huán)之反應(yīng)腔室, 所述具有該晶圓托環(huán)的反應(yīng)腔室,包括:反應(yīng)腔室本體,內(nèi)設(shè)置各功能部件; 托環(huán)載體,呈面向設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體之底板處;晶圓托環(huán),設(shè)置在所 述托環(huán)載體之異于底板的一側(cè);可伸縮支柱,設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體之底 板上。
綜上所述,本發(fā)明晶圓托環(huán)呈立體狀設(shè)置,并通過在所述晶圓托環(huán)內(nèi)形 成用以承載所述待工藝處理之晶圓的卡合部,不僅使得所述晶圓僅其外邊緣 與所述晶圓托環(huán)接觸,最大限度減少熱量損失,而且穩(wěn)定固定所述晶圓,提 高晶圓工藝處理之轉(zhuǎn)速,使其受熱更均勻,工藝穩(wěn)定性更強(qiáng)。
附圖說明
圖1(a)所示為本發(fā)明晶圓托環(huán)的立體圖;
圖1(b)所示為本發(fā)明晶圓托環(huán)的俯視圖;
圖2(a)所示為本發(fā)明晶圓托環(huán)托載晶圓的立體圖;
圖2(b)所示為本發(fā)明晶圓托環(huán)托載晶圓的俯視圖;
圖3所示為具有本發(fā)明晶圓托環(huán)之反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效,下 面將結(jié)合實(shí)施例并配合附圖予以詳細(xì)說明。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





