[發明專利]一種晶圓托環及具有該晶圓托環的反應腔室在審
| 申請號： | 201610107767.3 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN105575800A | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發明（設計）人： | 董琪琪;賴朝榮;蘇俊銘 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶圓托環 具有 反應 | ||
1.一種晶圓托環，其特征在于，所述晶圓托環呈立體狀設置，且待工藝 處理之晶圓的面積小于所述晶圓托環之晶圓置入方向的上端開口面積，并在 所述晶圓托環內形成用以承載所述待工藝處理之晶圓的卡合部。
2.如權利要求1所述的晶圓托環，其特征在于，所述晶圓托環之卡合部 通過在晶圓置入方向上形成漸變收緊而成。
3.如權利要求1所述的晶圓托環，其特征在于，所述晶圓托環呈碗狀設 置。
4.如權利要求1所述的晶圓托環，其特征在于，當所述待工藝處理之晶 圓置入所述晶圓托環時，所述待工藝處理之晶圓的正面處于晶圓托環之上端 開口的正面，所述晶圓依靠自重固定設置在所述晶圓托環之卡合部處。
5.如權利要求1所述的晶圓托環，其特征在于，所述待工藝處理之晶圓 僅邊緣外側與所述晶圓托環接觸。
6.如權利要求1所述的晶圓托環，其特征在于，所述待工藝處理之晶圓 的轉速為2000轉/min。
7.如權利要求1所述的晶圓托環，其特征在于，所述晶圓之邊緣溫度與 所述晶圓之中心溫度一致。
8.一種具有如權利要求1所述的晶圓托環之反應腔室，其特征在于，所 述具有該晶圓托環的反應腔室，包括：
反應腔室本體，內設置各功能部件；
托環載體，呈面向設置在所述反應腔室本體之底板處；
晶圓托環，設置在所述托環載體之異于底板的一側；
可伸縮支柱，設置在所述反應腔室本體之底板上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
