[發明專利]一種高介電系數聚酰亞胺薄膜有效

申請號：	201610102869.6	申請日：	2016-02-24
公開（公告）號：	CN105542459B	公開（公告）日：	2017-11-17
發明（設計）人：	徐偉偉;王勇;王世林;張克杰;李亞平;梁永飛	申請（專利權）人：	江蘇亞寶絕緣材料股份有限公司
主分類號：	C08L79/08	分類號：	C08L79/08;C08K3/00;C08K3/34;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/30;C08G73/10;C08J5/18
代理公司：	北京文苑專利代理有限公司11516	代理人：	何新平
地址：	225800 江蘇省揚***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種高介電系數聚酰亞胺薄膜
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種聚酰亞胺薄膜，特別涉及一種高介電系數聚酰亞胺薄膜及其制備方法。

背景技術

目前，隨著電器的廣泛使用，電容的使用量快速增長，電容中最重要的部件是介電絕緣層材料，需要高介電系數。聚酰亞胺是一類耐高溫，高強度，穩定性高，具有優異曲撓性的高分子材料，常用作制備介電絕緣層與機體薄膜。但是，普通的聚酰亞胺薄膜介電系數不高，隨著使用時間的延長，介電系數還會下降，造成電子器件性能不穩定，不能滿足需求。

專利201410459609.5公開了一種高介電常數的聚酰亞胺復合材料及其制備方法。在常規制備聚酰亞胺的過程中引入石墨烯和納米碳酸鋇，介電常數雖然有了提高，但是，聚酰亞胺薄膜的機械性能降低，且該介電常數隨著使用時間的增加而降低，使用壽命降低。專利201310226961.X公開了一種聚酰亞胺高介電復合材料及其制備方法，采用改性石墨烯和納米碳酸鋇，也存在聚酰亞胺薄膜的機械性能降低，介電常數隨著使用時間的增加而降低的問題。目前，在提高聚酰亞胺介電常數的同時保持聚酰亞胺薄膜的機械性能及介電常數的維持時間，是急需解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高介電系數聚酰亞胺薄膜。提高介電常數的同時保持高其穩定性和機械性能。

一種高介電系數聚酰亞胺薄膜，以二酸酐單體和二胺單體縮聚得到的聚酰亞胺為基體，并摻雜富勒烯，青金石粉和納米蒙脫土，其中富勒烯在薄膜中的重量百分比為1-3％，青金石粉在薄膜中的重量百分比為0-3％，納米蒙脫土在薄膜中的重量百分比為0-3％。

所述介電系數聚酰亞胺薄膜中還包括稀土化合物。

所述稀土化合物為氧化鑭，硫酸鑭，氧化鋯，氧化鈰，鈧金屬粉，釔金屬粉，鑭金屬粉中的一種或一種以上。

所述二胺單體為間苯二胺，4,4’-二氨基二苯醚，3,3’-二甲基聯苯胺，2,5-二氨基甲苯，4,4’-二氨基二苯甲酮或2,4-二氨基-6-氯甲苯。

所述二酸酐單體為3，3’，4，4’-二苯酮四羧酸二酐，六氟二酐，均苯四甲酸二酐，3，3’，4，4’-聯苯四羧酸二酐，2，2’，3，3’-聯苯四羧酸二酐，1，4，5，8-萘四羧酸二酐，1，2，5，6-萘四羧酸二酐，菲-1，8，9，10-四羧酸二酐或苯-1，2，3，4-四羧酸二酐。

上述高介電系數聚酰亞胺薄膜的制備方法，按照如下步驟進行：

(1)將富勒烯，青金石粉和納米蒙脫土分散在有機溶劑中，超聲分散6-8小時，有機溶劑的加入量為上述物質總質量的2-15倍，制成分散液；

(2)在30-80℃條件下，將二胺單體和二酸酐單體加入上述分散液中，混合均勻，反應12-24小時，制成漿料；

(3)將上述漿料在光滑板材表面涂出厚度均勻的薄膜，待溶劑揮發殆盡，在140-180℃環境下亞胺化3-8小時，得到高介電系數聚酰亞胺薄膜。

所述有機溶劑為N’N-二甲基乙酰胺，N’N-二甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮。