[發(fā)明專利]一種高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610102869.6
• 申請(qǐng)日: 2016-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105542459B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐偉偉;王勇;王世林;張克杰;李亞平;梁永飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇亞寶絕緣材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C08L79/08
• 分類號(hào): C08L79/08;C08K3/00;C08K3/34;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/30;C08G73/10;C08J5/18
• 代理公司: 北京文苑專利代理有限公司11516
• 代理人: 何新平

1.一種高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜，其特征在于，以二酸酐單體和二胺單體縮聚得到的聚酰亞胺為基體，并摻雜富勒烯，青金石粉和納米蒙脫土，其中富勒烯在薄膜中的重量百分比為1-3％，青金石粉在薄膜中的重量百分比為0-3％，納米蒙脫土在薄膜中的重量百分比為0-3％；青金石粉和納米蒙脫土的含量不同時(shí)為0；

所述聚酰亞胺薄膜還包括氧化鑭，硫酸鑭，氧化鋯，氧化鈰，鈧金屬粉，釔金屬粉，鑭金屬粉中的一種或一種以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述二胺單體為間苯二胺，4,4’-二氨基二苯醚，3,3’-二甲基聯(lián)苯胺，2,5-二氨基甲苯，4,4’-二氨基二苯甲酮或2,4-二氨基-6-氯甲苯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述二酸酐單體為3，3’，4，4’-二苯酮四羧酸二酐，六氟二酐，均苯四甲酸二酐，3，3’，4，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐，2，2’，3，3’-聯(lián)苯四羧酸二酐，1，4，5，8-萘四羧酸二酐，1，2，5，6-萘四羧酸二酐，菲-1，8，9，10-四羧酸二酐或苯-1，2，3，4-四羧酸二酐。

4.權(quán)利要求1所述高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，按照如下步驟進(jìn)行：

(1)將富勒烯、青金石粉、納米蒙脫土與氧化鑭，硫酸鑭，氧化鋯，氧化鈰，鈧金屬粉，釔金屬粉，鑭金屬粉中的一種或一種以上分散在有機(jī)溶劑中，超聲分散6-8小時(shí)，有機(jī)溶劑的加入量為上述物質(zhì)總質(zhì)量的2-15倍，制成分散液；

(2)在30-80℃條件下，將二胺單體和二酸酐單體加入上述分散液中，混合均勻，反應(yīng)12-24小時(shí)，制成漿料；

(3)將上述漿料在光滑板材表面涂出厚度均勻的薄膜，待溶劑揮發(fā)殆盡，在140-180℃環(huán)境下亞胺化3-8小時(shí)，得到高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜。

5.權(quán)利要求4所述高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑為N^，N-二甲基乙酰胺，N^，N-二甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮。