[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201610101972.9 | 申請日: | 2016-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN105762154B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 王瑞瑞;陳華斌;王琳琳;崔曉鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置,涉及顯示技術領域,可減少高開口率的像素設計中公共電極線與數據線交疊處與像素電極區域的高度差,改善Zara不良。該制備方法包括:形成第一金屬走線、層間絕緣層、第二金屬走線、形成保護層;第二金屬走線平行于第一金屬走線,且與第一金屬走線有重疊;第一、第二金屬走線互為公共電極線與數據線;對層間絕緣層至少對應于第一區域的部分進行減薄處理,且對除第二、第三區域之外的部分不進行減薄處理;和/或,對保護層至少對應于第一區域的部分進行減薄處理,且對除第二、第三區域之外的部分不進行減薄處理。用于陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板、顯示裝置的制備。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。
背景技術
目前高開口率的像素單元設計是將公共電極線(Com Line)設置地與數據線(DataLine)平行,且位于數據線的下方,即兩種信號線的上下位置有重疊,從而減小兩種信號線交錯設置時對像素單元AA(Active Area,有效顯示區域)區面積的占用,提高像素單元的開口率。
在實現上述高開口率的像素單元設計的過程中,發明人發現現有的開口率的像素單元設計至少存在如下問題:
如圖1所示,由于數據線41與公共電極線21上下重疊設置,使得位于陣列基板最外層的取向層70在對應于數據線41的位置與對應于像素電極60的位置處的高度差較圖2所示的常規產品(即兩種信號線交錯設置的低開口率設置像素單元)高出近(數據線41的厚度)的厚度,這一段差會導致通過摩擦輥02對取向層70進行摩擦取向時,取向層70在像素單元的邊緣靠近數據線41的兩側處出現摩擦取向異常區域,出現與像素單元內部的AA區位置取向不一致,使得液晶顯示面板在對應于該摩擦取向異常區域出現Zara不良,即出現如圖3所示的一條相錯的亮線,影響顯示品質。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置,可減少在高開口率的像素設計中公共電極線與數據線交疊處與像素電極區域的高度差,進而改善液晶顯示裝置的Zara不良。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面、本發明實施例提供了一種陣列基板的制備方法,所述制備方法包括:在襯底基板上方形成第一金屬走線;形成覆蓋所述第一金屬走線的層間絕緣層;在所述層間絕緣層上形成第二金屬走線;所述第二金屬走線平行于所述第一金屬走線,且與所述第一金屬走線有重疊;所述第一金屬走線與所述第二金屬走線相重疊的區域為第一區域,所述第一金屬走線除所述第一區域之外的區域為第二區域,所述第二金屬走線除所述第一區域之外的區域為第三區域;形成覆蓋所述第二金屬走線的保護層;所述第一金屬走線與所述第二金屬走線互為公共電極線與數據線;所述制備方法還包括:對所述層間絕緣層至少對應于所述第一區域的部分進行減薄處理,且對除所述第二區域和所述第三區域之外的部分不進行減薄處理;和/或,對所述保護層至少對應于所述第一區域的部分進行減薄處理,且對除所述第二區域和所述第三區域之外的部分不進行減薄處理。
可選的,對所述層間絕緣層至少對應于所述第一區域的部分進行減薄處理,以使所述層間絕緣層至少對應于所述第一區域的部分厚度減薄至所述層間絕緣層原本厚度的45%~65%;和/或,對所述保護層至少對應于所述第一區域的部分進行減薄處理,以使所述保護層至少對應于所述第一區域的部分厚度減薄至所述保護層原本厚度的45%~65%。
可選的,所述對所述層間絕緣層至少對應于所述第一區域的部分進行減薄處理,且對除所述第二區域和所述第三區域之外的部分不進行減薄處理,包括:對所述層間絕緣層對應于所述第一區域、所述第二區域以及所述第三區域的部分進行減薄處理。
可選的,所述對所述保護層至少對應于所述第一區域的部分進行減薄處理,且對除所述第二區域和所述第三區域之外的部分不進行減薄處理,包括:對所述保護層對應于所述第一區域、所述第二區域以及所述第三區域的部分進行減薄處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





