[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610101972.9 | 申請日: | 2016-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN105762154B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王瑞瑞;陳華斌;王琳琳;崔曉鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制備方法,所述制備方法包括:
在襯底基板上方形成第一金屬走線;
形成覆蓋所述第一金屬走線的層間絕緣層;
在所述層間絕緣層上形成第二金屬走線;所述第二金屬走線平行于所述第一金屬走線,且與所述第一金屬走線有重疊;所述第一金屬走線與所述第二金屬走線相重疊的區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域,所述第一金屬走線除所述第一區(qū)域之外的區(qū)域?yàn)榈诙^(qū)域,所述第二金屬走線除所述第一區(qū)域之外的區(qū)域?yàn)榈谌齾^(qū)域;
形成覆蓋所述第二金屬走線的保護(hù)層;
其特征在于,所述第一金屬走線與所述第二金屬走線互為公共電極線與數(shù)據(jù)線;所述制備方法還包括:
對所述層間絕緣層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理,且對除所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域之外的部分不進(jìn)行減薄處理;
和/或,
對所述保護(hù)層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理,且對除所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域之外的部分不進(jìn)行減薄處理;
其中,對所述層間絕緣層對應(yīng)于所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域以及所述第三區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,
對所述層間絕緣層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理,以使所述層間絕緣層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分厚度減薄至所述層間絕緣層原本厚度的45%~65%;
和/或,
對所述保護(hù)層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理,以使所述保護(hù)層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分厚度減薄至所述保護(hù)層原本厚度的45%~65%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述對所述保護(hù)層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理,且對除所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域之外的部分不進(jìn)行減薄處理,包括:
對所述保護(hù)層對應(yīng)于所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域以及所述第三區(qū)域的部分進(jìn)行減薄處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述公共電極線的線寬大于所述數(shù)據(jù)線的線寬,且沿線寬方向,所述公共電極線在所述襯底基板上的投影完全覆蓋所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述公共電極線未與所述數(shù)據(jù)線相重疊的區(qū)域位于所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述公共電極線位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的部分寬度相同。
7.一種陣列基板,所述陣列基板包括:位于襯底基板上方的第一金屬走線;覆蓋所述第一金屬走線的層間絕緣層;位于所述層間絕緣層上的第二金屬走線;所述第二金屬走線平行于所述第一金屬走線,且與所述第一金屬走線有重疊;覆蓋所述第二金屬走線的保護(hù)層;其特征在于,所述第一金屬走線與所述第二金屬走線互為公共電極線與數(shù)據(jù)線;所述第一金屬走線與所述第二金屬走線相重疊的區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域,所述第一金屬走線除所述第一區(qū)域之外的區(qū)域?yàn)榈诙^(qū)域,所述第二金屬走線除所述第一區(qū)域之外的區(qū)域?yàn)榈谌齾^(qū)域;所述層間絕緣層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分厚度小于所述層間絕緣層除所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域之外的部分厚度;和/或,所述保護(hù)層至少對應(yīng)于所述第一區(qū)域的部分厚度小于所述保護(hù)層除所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域之外的部分厚度;
其中,所述層間絕緣層對應(yīng)于所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域以及所述第三區(qū)域的部分厚度小于所述層間絕緣層除所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和第三區(qū)域之外的部分厚度。
8.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括如權(quán)利要求7所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求8所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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