[發(fā)明專利]用于高頻全數(shù)字鎖相環(huán)的高精度數(shù)字控制振蕩器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610100414.0
• 申請(qǐng)日: 2016-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN105790761B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蓋偉新;黃繼超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)（天津?yàn)I海）新一代信息技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H03L7/099
• 分類號(hào): H03L7/099
• 代理公司: 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11200
• 代理人: 邱曉鋒

1.一種高精度數(shù)字控制振蕩器，包括電感、電容陣列以及差分耦合對(duì)管，通過(guò)所述電感的共模接頭接入電流，所述電感兩端為差分時(shí)鐘輸出，所述電感兩端與所述電容陣列兩端及所述差分耦合對(duì)管兩端連接，所述電容陣列包括粗調(diào)電容陣列和精調(diào)電容陣列，其特征在于，所述精調(diào)電容陣列包括若干高精度電容單元，所述高精度電容單元包括三個(gè)MOM電容和兩個(gè)NMOS管，其中第三MOM電容分別與第一MOM電容和第二MOM電容的一端相連接，第一MOM電容和第二MOM電容的另一端分別與差分時(shí)鐘輸出連接，兩個(gè)NMOS管的漏極分別接在第三MOM電容兩端，兩個(gè)NMOS管的柵極短接且連接控制字，兩個(gè)NMOS管的源極短接且接地。

2.如權(quán)利要求1所述的高精度數(shù)字控制振蕩器，其特征在于：所述高精度電容單元中，第一MOM電容與第二MOM電容相同且為電容值較小的電容，第三MOM電容為電容值較大的電容。

3.如權(quán)利要求1所述的高精度數(shù)字控制振蕩器，其特征在于：所述差分耦合對(duì)管包括兩個(gè)NMOS管，所述差分耦合對(duì)管的兩個(gè)NMOS管的漏極分別連接至差分時(shí)鐘輸出，所述差分耦合對(duì)管的兩個(gè)NMOS管的柵極分別連接至對(duì)方的漏極，所述差分耦合對(duì)管的兩個(gè)NMOS管的源極短接且接地。

4.如權(quán)利要求1所述的高精度數(shù)字控制振蕩器，其特征在于：所述粗調(diào)電容陣列由N個(gè)普通電容開關(guān)組成，所述普通電容開關(guān)為兩個(gè)可變電容器一端短接且連接控制字，另外一端分別與差分時(shí)鐘輸出連接。

5.一種高頻全數(shù)字鎖相環(huán)，包括鑒頻鑒相器、數(shù)字環(huán)路濾波器、數(shù)字控制振蕩器以及分頻器，其特征在于，所述數(shù)字控制振蕩器為權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的高精度數(shù)字控制振蕩器。

6.一種采用權(quán)利要求1所述高精度數(shù)字控制振蕩器調(diào)節(jié)最小有效電容值的方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)第一MOM電容和第二MOM電容的電容值相等且為C₁，第三MOM電容的電容值為C₂，當(dāng)控制字為1時(shí)，高精度電容單元的兩個(gè)NMOS管將第三MOM電容短路，接入差分時(shí)鐘輸出的電容值為C1/2；當(dāng)控制字為0時(shí)，接入差分時(shí)鐘輸出的電容值為三個(gè)MOM電容的串聯(lián)電容值則控制字在0和1之間跳變時(shí)，最小有效電容值變化為

2)C₁最小能取到工藝庫(kù)中最小電容，當(dāng)C₁無(wú)法再變小時(shí)，根據(jù)上式，只需改變C2的大小，即可達(dá)到對(duì)于更小的最小有效電容值變化的需求。