[發(fā)明專利]檢查設備和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610099812.5 | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN105549341A | 公開(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | A·登博夫 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢查 設備 方法 | ||
本申請是于2014年10月9日進入中國國家階段的、國家申請 號為201380019174.6的、發(fā)明名稱為“檢查設備和方法”的PCT申 請的分案申請。
相關申請的交叉引用
本申請要求享有2012年2月21日提交的美國臨時申請 61/601,156的優(yōu)先權,其通過整體引用并入本文。
技術領域
本發(fā)明涉及例如可用于通過光刻技術制造器件的檢查設備和方 法。
背景技術
光刻設備是向襯底上(通常向襯底的目標部分上)施加所需圖 案的機器。光刻設備可以例如用于制造集成電路(IC)。在該情形下, 備選地稱作掩?;蜓谀0娴膱D案形成裝置可以用于產生將要形成在 IC的單個層上的電路圖案。該圖案可以轉移至襯底(例如硅晶片) 上的目標部分(例如包括一個或數(shù)個裸片的一部分)上。圖案的轉 移通常經由向設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)的層上成像。 通常,單個襯底將包含相繼被圖案化的相鄰目標部分的網絡。已知 的光刻設備包括其中通過將整個圖案一次性曝光到目標部分上來照 射每個目標部分的所謂的步進機,以及其中通過在給定方向(“掃描” 方向)上通過輻射束掃描圖案來照射每個目標部分而同時平行于或 者反向平行于該方向來同步掃描襯底的所謂掃描機。也有可能通過 將圖案壓印至襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉移至襯底。
為了監(jiān)控光刻工藝,測量圖案化的襯底的參數(shù)。參數(shù)例如可以 包括形成在圖案化的襯底中或上的相繼層之間的重疊誤差以及已顯 影的光刻膠的關鍵線寬??梢詫τ诋a品襯底和/或對于專用度量目標 執(zhí)行該測量。存在各種技術用于對光刻工藝中形成的微觀結構進行 測量,包括使用掃描電鏡和各種專用工具。專用檢查工具的快速和 非侵入形式是散射儀,其中輻射束被引導至襯底的表面上的目標上, 并且測量散射或者反射束的特性。通過在束被襯底反射或者散射之 前和之后對束的特性進行比較,可以確定襯底的特性。這可以例如 通過將反射束與存儲在與已知的襯底特性相關聯(lián)的已知測量的庫中 的數(shù)據(jù)進行比較而完成。兩種主要類型的散射儀是已知的。光譜散 射儀引導寬帶輻射束至襯底上,并且測量散射進入特定狹窄角度范 圍中的輻射的光譜(強度根據(jù)波長而變化)。角度分辨散射儀使用單 色輻射束,并且測量根據(jù)角度而變化的散射輻射的強度。
光譜散射測量具有硬件相對簡單的優(yōu)點,這有助于改進匹配和 校準。然而,其難以測量非常孤立的特征,以及度量光柵的不對稱。 角度分辨散射測量光學上更加復雜,使得校準和匹配變得復雜化。 此外,在實際中,需要多個可調的波長,這導致復雜和昂貴的光學 器件。隨著光刻工藝分辨率增大,越來越小的特征形成在襯底上。 為了以最小特征的分辨率執(zhí)行散射測量,可能需要使用與光刻工藝 自身使用的輻射波長相比更短的輻射波長。在紫外(UV)范圍內的 波長原則上對于這一點可以是有效的。然而,用于這樣的波長的光 學系統(tǒng)變得特別復雜。
因此需要散射儀的新形式,特別是適用于測量具有在當前和下 一代光刻工藝的分辨率下的特征尺寸的度量目標。本發(fā)明人已經認 識到已知的光譜散射儀的限制在于它們不使用來自目標光柵的更高 階衍射輻射。
在ProceedingsofSPIEVol.5375(SPIE,Bellingham,WA,2004), DOI:10.1117/12.539143上由RichardM.Silver編輯的Metrology, Inspection,andProcessControlforMicrolithographyXVIII中發(fā)表的 論文“ANewApproachtoPatternMetrology”中,作者ChristopherP. Ausschnitt提出了一種散射儀的新形式。不同于傳統(tǒng)的光譜散射儀, Ausschnitt的所謂MOXIE系統(tǒng)使用了零階以及一階衍射輻射。其也 使用了在襯底自身上的目標光柵以將衍射階分解為分光信號。然而, 該系統(tǒng)也并未被優(yōu)化以用于測量圖案非對稱性。此外,一階信號的 光譜分辨率取決于目標幾何形狀,并且預期對于實際度量應用而言 太小。
已知的散射測量技術中另一個問題在于由產品襯底上的散射測 量目標所占據(jù)的空間或“基板面”。目標必須保持相互遠離并且遠離 產品特征,以避免測量之間的交叉串擾。本發(fā)明人已經進一步認識 到,交叉串擾的一個起因是儀器的光斑具有如下點擴展函數(shù),該點 擴展函數(shù)具有圍繞主光斑的能量的較大旁波瓣。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于ASML荷蘭有限公司,未經ASML荷蘭有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610099812.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





