[發明專利]陣列基板、顯示面板以及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201610098282.2
• 申請日: 2016-02-23
• 公開（公告）號: CN105572981B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 劉元甫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明公開了一種陣列基板，包括第一存儲電容和第二存儲電容，所述第一存儲電容和所述第二存儲電容并聯形成所述陣列基板的總存儲電容，從而增加了所述陣列基板的總存儲電容，使所述陣列基板避免了因總存儲電容過小而導致的交叉串擾、影像殘留等問題，提高了所述陣列基板的品質。本發明還公開了一種應用所述陣列基板的顯示面板以及一種應用所述陣列基板的液晶顯示裝置。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、一種應用所述陣列基板的顯示面板以及一種應用所述陣列基板的液晶顯示裝置。

背景技術

隨著TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)液晶顯示技術的不斷發展，具備功耗低、分辨率高、反應速度快以及開口率高等特點的基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)技術的TFT顯示裝置逐漸成為主流，已被廣泛應用于各種電子設備，如液晶電視、智能手機、平板電腦以及數碼相機等數字電子設備中。

但是，在基于移動顯示技術向更高畫質、更高精細程度、更輕薄和更低功耗發展，隨著解析程度越來越高，產品的開口率會變得更小，同時像素的存儲電容Cst(由像素電極、公共電極以及夾在其中的鈍化層構成)在逐漸變小、每個像素的充電時間在也逐漸減小。在現有工藝條件下，為滿足光學品味以及穿透率的需求，存儲電容Cst的厚度以及像素電極的面積很難做出變化。在這種情況下，傳統存儲電容Cst的大小難以得到提升，每個存儲電容的電量將不能維持該像素的正常工作電壓，進而造成一些諸如交叉串擾(crosstalk)，影像殘留(Image Sticking)等問題，極大地降低了陣列基板或顯示面板的品質。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板，用以解決現有技術中存在的因存儲電容較小所導致的陣列基板品質較低的技術問題。

另外，還提供一種應用所述陣列基板的顯示面板。

此外，還提供一種應用所述陣列基板的液晶顯示裝置。

為了實現上述目的，本發明實施方式采用如下技術方案：

一方面，提供一種陣列基板，包括：

基板；

形成在所述基板上的第一公共電極；

覆蓋所述第一公共電極的緩沖層；

形成在所述緩沖層背離所述第一公共電極的表面上的有源層，所述有源層包括與所述第一公共電極相對設置的第一部分，所述第一公共電極、所述第一部分以及夾在所述第一公共電極及所述第一部分之間的所述緩沖層構成第一存儲電容；

覆蓋所述有源層的柵極絕緣層；

形成在所述柵極絕緣層背離所述有源層的表面上的介質層，所述柵極絕緣層與所述介質層上共同開設第一孔，所述第一孔用于顯露部分所述第一部分；

形成在所述介質層背離所述柵極絕緣層的表面上的漏區，所述漏區通過所述第一孔連接至所述第一部分；

覆蓋所述漏區的平坦層，所述平坦層開設用于暴露部分所述漏區的第二孔；以及

依次層疊形成在所述平坦層上的第二公共電極、鈍化層和像素電極，所述第二公共電極、所述像素電極以及夾在所述像素電極與所述第二公共電極之間的所述鈍化層構成第二存儲電容，所述像素電極通過所述第二孔連接至所述漏區。

其中，所述有源層還包括與所述第一部分相連的第二部分，所述陣列基板包括柵區，所述柵區形成在所述柵極絕緣層與所述介質層之間，且所述柵區正對所述第二部分設置。

其中，所述陣列基板還包括形成在所述基板上的遮光層，所述遮光層與所述第一公共電極同層且間隔設置，所述遮光層與所述柵區相對設置。