[發明專利]由背接觸式太陽能電池加工成電池芯片的電極引出結構及方法在審
| 申請號: | 201610098151.4 | 申請日: | 2016-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN105514179A | 公開(公告)日: | 2016-04-20 |
| 發明(設計)人: | 李毅 | 申請(專利權)人: | 深圳市創益科技發展有限公司;深圳市創益新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市毅穎專利商標事務所(普通合伙) 44233 | 代理人: | 張藝影 |
| 地址: | 518029 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 太陽能電池 加工 電池 芯片 電極 引出 結構 方法 | ||
1.由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構,該電極引出結構由電池基片的背光面上n+區正極柵線和p+區負極柵線間隔排列構成,其技術特征在于電池背光面n+區和p+區的每個芯片的正負電極引出端的相異極性柵線上分別有絕緣層,在其相異極性柵線的絕緣層上分別覆蓋導電層,該導電層是所說每個芯片柵線匯流、導通的電極引出端的導電層,該導電層是覆蓋在未覆蓋絕緣層的相異極性柵線上以匯集電流導通。
2.根據權利要求1所述的一種由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構,其特征在于所述的正負電極引出端的導電層是一種可焊電極引出線的可焊導電層或是一種免焊接電極引出線的導電層。
3.根據權利要求1所述的一種由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構,其特征在于所述芯片的正負電極引出端為免焊接正負電極引出端的免焊層,該面焊層上還分布一層導電可焊層。
4.根據權利要求2所述的一種由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構,其特征在于所說的一種可焊電極引出線的導電層是一種導電金屬型材,包括帶導電膠層的銅帶、鋁帶、鍍錫銅帶。
5.根據權利要求2所述的一種由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構,其特征在于所說的可焊接電極引出線的導電層,主要包括由銅漿、銀漿、錫膏材料制成的。
6.根據權利要求2所述的一種由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構,其特征在于所說的相異極性柵線上分別覆蓋的絕緣層是一層絕緣油墨,以防相異性柵線之間錯位。
7.一種由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,由電池基片的背光面上n+區的正極柵線和p+區負極柵線間隔排列構成,其特征在于采用柵線絕緣涂層網版,掩膜絲網印刷工藝,把絕緣層漿料絲印到背接觸電池的背電極面的基片相應位置、固化,形成擬切割出的每個芯片的正負電極引出端的相異極性的柵線絕緣層;
在所說的制備好柵線絕緣層上采用柵線匯流導電層網版,掩膜絲網印刷工藝把導電層漿料絲印到背電極面的絕緣層的基片上、固化,形成擬切割出的每個芯片的正負電極引出端的導電層。
8.根據權利要求7所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的絕緣層,采用UV紫外光固型光或熱固型環氧樹脂絕緣油墨絕緣層。
9.根據權利要求8所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的絕緣層,采用UV紫外光固型光或熱固型環氧樹脂絕緣油墨絕緣層,其光固化溫度設置為45~80°;使用熱固型環氧樹脂絕緣油墨,固化溫度設置為100~160°C。
10.根據權利要求7所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的導電層漿料,包括銅漿、銀漿、錫膏;如導電層漿料為銅漿,采用0.06~0.15mm厚的鋼板網絲印。
11.根據權利要求7或10所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的采用銅漿的導電層,其固化溫度分別設置為130~170°C。
12.根據權利要求7所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的導電層由導電型材形成,包括帶導電膠層的銅帶、鋁帶、鍍錫銅帶在內的導電金屬帶材料形成,用熱壓設備或靜壓設備將導電型材貼合到制備好的絕緣層的基片上形成導電層。
13.根據權利要求12所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說帶導電膠層的銅帶、鋁帶、鍍錫銅帶,將導電材料貼合到已制備好絕緣層的電池基片上。
14.根據權利要求7所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的電極匯流導電層為一種免焊材料的導電層,在其導電層表面按每個電池芯片的正負引出電極位置和焊盤尺寸,在所說的免焊材料層上再絲印一層包括可焊銅漿、銀漿、錫膏在內的可焊導電層。
15.根據權利要求7所述的由背接觸式太陽能電池加工成芯片的電極引出結構的制造方法,其技術特征在于所說的切割出的每個芯片,用電烙鐵在電極引出結構端焊接導線串聯芯片構成組件或串并聯芯片構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





