[發(fā)明專利]一種錯位硅酸鐵鋰及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610097411.6 | 申請日： | 2016-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN105762357A | 公開（公告）日： | 2016-07-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 倪江鋒;王文聰;李亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01M4/58 | 分類號： | H01M4/58;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李陽 |
| 地址： | 215100 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 錯位 硅酸 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種錯位硅酸鐵鋰，其特征在于：所述硅酸鐵鋰含有Li/Fe錯位結(jié)構(gòu)，并具有一般聚陰離子硅酸鹽晶格結(jié)構(gòu)以及Li2-2xFe1+xSiO4限定式，其中x的范圍為0<x≤0.5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯位硅酸鐵鋰，其特征在于：所述一般聚陰離子硅酸鹽晶格結(jié)構(gòu)在引入所述Li/Fe錯位結(jié)構(gòu)后保持不變。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯位硅酸鐵鋰，其特征在于：含有所述Li/Fe錯位結(jié)構(gòu)的一般聚陰離子硅酸鹽晶格結(jié)構(gòu)為電荷中性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錯位硅酸鐵鋰，其特征在于：所述硅酸鐵鋰通過將含有鋰源、鐵源和硅源的化合物按比例混合均勻，然后在惰性氣氛下進行鍛燒得到。
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