[發明專利]一種修飾氧化銦錫陽極的制備方法

有效

• 申請號: 201610096162.9
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN105576142B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 潘勇;陳娟
• 申請（專利權）人: 張哲夫
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙)44324
• 代理人: 鄧揚

技術領域

本發明涉及電子器件相關領域，尤其涉及一種修飾氧化銦錫陽極及其制備方法和有機電致發光器件。

背景技術

目前，在有機半導體行業中，有機電致發光器件(OLED)具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應速度快等優勢，是一種極具潛力的顯示技術和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發展趨勢，以及綠色照明技術的要求，是目前國內外眾多研究者的關注重點。

在有機電致發光器件的結構中，陽極作為器件結構的一個重要部分，承擔著載流子注入和電路連接的作用，而同時載流子的注入又與電極同有機材料之間的界面勢壘有關。陽極一般都是承擔空穴注入的作用，通常采用的導電氧化物薄膜如氧化銦錫(ITO)等，其功函只有4.7eV，而采用的有機空穴傳輸材料，其HOMO能級通常在5.1V左右，這樣導致空穴注入需要克服較大的勢壘，從而導致空穴注入效率不高。目前通常使用氧等離子處理的方法，提高ITO表面的氧含量，并降低Sn/In比，從而達到提高功函的目的，因此獲得較高的空穴注入效率。但該方法需要用到等離子處理設備，對設備的要求比較高。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明旨在提供一種修飾氧化銦錫陽極及其制備方法，修飾氧化銦錫陽極包括氧化銦錫陽極和修飾層，所述修飾層為乙二胺與全氟脂肪酸反應形成的一層自組裝薄膜，該薄膜提高了陽極表面功函，從而使該陽極在應用中可大大提高空穴的注入效率，提高器件發光效率。本發明還提供了包含上述修飾氧化銦錫陽極的有機電致發光器件。

第一方面，本發明提供了一種修飾氧化銦錫陽極，包括氧化銦錫陽極和修飾層，所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設置在所述氧化銦錫薄膜表面，其特征在于，所述修飾層的物質為如式(1)所示的化合物，

式中，n＝4、6、8或10。

優選地，所述修飾層為如式(1)所示的化合物形成的一層單分子薄膜。

優選地，所述氧化銦錫薄膜的厚度為70～200nm。

第二方面，本發明提供了一種修飾氧化銦錫陽極的制備方法，包括以下步驟：

提供潔凈的氧化銦錫陽極，所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜；

將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為0.01～2mol/L的乙二胺溶液中，浸入2～10分鐘后，取出，干燥；

隨后，將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為2～10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中，浸泡5～20分鐘后，取出，氮氣吹干，即得修飾氧化銦錫陽極，所述修飾氧化銦錫陽極的氧化銦錫薄膜表面具有修飾層，所述修飾層的物質為乙二胺與全氟脂肪酸反應形成的如式(1)所示的化合物，

式中，n＝4、6、8或10；

所述全氟脂肪酸的通式為CF₃(CF₂)_n-COOH，其中，n＝4、6、8或10。

具體地，所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和濺射在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜。采用如下方式制備：提供潔凈的玻璃基板，采用磁控濺射法在所述玻璃基板上濺射制備氧化銦錫薄膜。

所述玻璃基板為市售普通玻璃。

優選地，所述玻璃基板的清洗操作具體為：依次采用洗潔精、去離子水、異丙醇和丙酮分別進行超聲清洗20分鐘，然后氮氣吹干。

優選地，所述氧化銦錫薄膜的厚度為70～200nm。

隨后還可對制備好的氧化銦錫陽極進行臭氧化處理，以提高氧化銦錫薄膜表面能。接著將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為0.01～2mol/L的乙二胺溶液中，浸入2～10分鐘后，取出，干燥。

優選地，所述乙二胺溶液的濃度為0.1～1mol/L。

優選地，所述乙二胺溶液的溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇或正丁醇。

所述干燥的具體方式不做特殊限制。優選地，所述干燥操作為：在50～80℃真空干燥12～24小時。

干燥后，將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為2～10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中，浸泡5～20分鐘后，取出，氮氣吹干，即得修飾氧化銦錫陽極。

優選地，所述全氟脂肪酸溶液的溶劑為十一烷、十二烷、十四烷或十六烷。