[發(fā)明專利]一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610096162.9 | 申請(qǐng)日： | 2013-01-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105576142B | 公開（公告）日： | 2017-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 潘勇;陳娟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 張哲夫 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/50 | 分類號(hào)： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市神州聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44324 | 代理人： | 鄧揚(yáng) |
| 地址： | 325055 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 修飾 氧化 陽(yáng)極 制備 方法 | ||
1.一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供潔凈的氧化銦錫陽(yáng)極，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜；
將所述氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理后浸入濃度為0.01～2mol/L的乙二胺溶液中，浸入2～10分鐘后，取出，干燥；
隨后，將所述氧化銦錫陽(yáng)極浸入濃度為2～10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中，浸泡5～20分鐘后，取出，氮?dú)獯蹈?，即得修飾氧化銦錫陽(yáng)極，所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極的氧化銦錫薄膜表面具有修飾層，所述修飾層的物質(zhì)為乙二胺與全氟脂肪酸反應(yīng)形成的如式(1)所示的化合物，
式中，n＝4、6、8或10；
所述全氟脂肪酸的通式為CF3(CF2)n-COOH，其中，n＝4、6、8或10。
2.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述乙二胺溶液的溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇或正丁醇。
3.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述全氟脂肪酸溶液的溶劑為十一烷、十二烷、十四烷或十六烷。
4.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述干燥的具體操作為：在50～80℃下真空干燥12～24小時(shí)。
5.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述氧化銦錫薄膜的厚度為70～200nm。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
