[發明專利]一種硒化錫光伏薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201610093017.5
• 申請日: 2016-02-20
• 公開（公告）號: CN107104159A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 劉科高;劉振國;許超
• 申請（專利權）人: 濟南領飛電氣設備有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;C03C17/22
• 代理公司: 暫無信息
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技術領域

本發明屬于光伏薄膜制備技術領域，尤其涉及一種硒化錫光伏薄膜的制備方法。

背景技術

隨著社會和經濟的發展，我國能源消費總量劇增，能源緊缺及消費能源帶來的污染已成為國內社會發展中的突出問題，因此開發利用清潔能源對保護環境、經濟可持續發展和構筑和諧社會都有重要的意義。為了更充分地利用太陽能這種清潔、安全和環保的可再生資源，近年來光電材料的研究和發展日益受到重視。

硒化錫是一種重要的IV-VI族半導體，其間接帶隙為0.90eV，直接帶隙為1.30 eV，可以吸收太陽光譜的絕大部分。作為一種含量豐富、環境友好且化學穩定的半導體材料，硒化錫是新型太陽能電池潛在候選材料之一。

目前SnSe的制備方法主要有化學氣相沉積、電化學方法、分子束外延、溶劑熱法、脈沖激光沉積、化學浴沉積等。由于原料成本較低，因此是一種非常有發展前途的光伏薄膜材料，但現有工藝路線復雜、制備成本高，因而同樣需要探索低成本的制備工藝。本實驗采用旋涂—化學共還原法制備硒化錫光伏薄膜。

如前面所述方法一樣，其它方法也有不同的缺陷。與本發明相關的還有如下文獻：

[1] Nicolas D. Boscher, Claire J. Carmalt, Robert G. Palgrave, Ivan P. Parkin, Atmospheric pressure chemical vapour deposition of SnSe and SnSe₂thin films on glass, Thin Solid Films 516 (2008) 4750–4757.

主要報道了在常壓下用化學氣相沉積的方法在玻璃基片上成功制備出了SnSe 和SnSe₂薄膜。

[2] Biljana Pejova, Ivan Grozdanov,Chemical synthesis, structural and optical properties of quantum sized semiconducting tin(II) selenide in thin film form, Thin Solid Films 515 (2007) 5203–5211.

主要講述的是化學方法合成SnSe光電半導體薄膜，并對薄膜的結構性能進行了研究。

[3] Dipankar Giri, Kalyan Kumar Das. Theoretical studies of the electronic spectrum of SnSe. Chemical Physics Letters 411(2005), 144-149.

主要描述了對SnSe的電子光譜的理論研究。

[4] R. Indirajith , T.P. Srinivasan , K. Ramamurthi, R. Gopalakrishnan, Synthesis, deposition and characterization of tin selenide thin ?lms by thermal evaporation technique, Current Applied Physics 10 (2010) 1402-1406.

主要報道了在低溫（低于100℃），用簡單的熱蒸發技術制備SnSe薄膜，并研究了其光電性能。

[5] Ajay Agarwal, Sunil H. Chaki, D. Lakshminarayana, Growth and thermal studies of SnSe single crystals, Materials Letters 61 (2007) 5188–5190.

主要描述了用直接蒸汽運輸技術（DVT）制備SnSe單晶，并測定了晶體的結晶度、晶格參數等。

[6] A. Lukinskas, V. Jasulaitien, P. Lukinskas, I. Savickaja, P. Kalinauskas, Electrochemical formation of nanometric layers of tin selenides on Ti surface, Electrochimica Acta 51 (2006) 6171–6178.

主要描述了用電化學方法在金屬Ti表面沉積SnS納米層，并研究了沉積電位對納米層成分的影響。

發明內容