[發(fā)明專利]一種硒化錫光伏薄膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610093017.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-02-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107104159A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉科高;劉振國;許超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 濟(jì)南領(lǐng)飛電氣設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032;C03C17/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 250013 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硒化錫光伏 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種硒化錫光伏薄膜的制備方法,包括如下順序的步驟:
a. 玻璃或硅基片的清洗;
b. 將1.5~2.5份SnCl2·2H2O、0.8~1.5份SeO2放入25~100份的溶劑中,使溶液中的物質(zhì)均勻混合;
c. 制作外部均勻涂布步驟b所述溶液的基片,并烘干,得到前驅(qū)體薄膜樣品;
d. 將步驟c所得前驅(qū)體薄膜樣品置于支架上,放入有水合聯(lián)氨的可密閉容器,使前驅(qū)體薄膜樣品不與聯(lián)氨接觸,將裝有前軀體薄膜樣品的密閉容器放入烘箱中,加熱至160~220℃之間,保溫時(shí)間10~20小時(shí),然后冷卻到室溫取出;
e. 將步驟d所得產(chǎn)物,進(jìn)行自然干燥,得到硒化錫光伏薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的一種硒化錫光伏薄膜的制備方法,其特征在于,步驟a所述清洗,是將大小為2cm×2cm玻璃基片或硅基片,放入體積比三氯甲烷:乙醇=5:1的溶液中,超聲波清洗;再將基片放入丙酮:蒸餾水=5:1的溶液中,超聲波清洗;再在蒸餾水中將基片用超聲波振蕩;將上述得到的基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。
3.如權(quán)利要求1所述的一種硒化錫光伏薄膜的制備方法,其特征在于,步驟b所述溶劑為去離子水、乙醇、乙醇胺、鹽酸中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的一種硒化錫光伏薄膜的制備方法,其特征在于,步驟c所述均勻涂布的基片,是通過勻膠機(jī)旋涂,勻膠機(jī)以200~3500轉(zhuǎn)/分旋轉(zhuǎn),然后對(duì)基片進(jìn)行烘干后,再次如此重復(fù)2~10次,得到了一定厚度的前驅(qū)體薄膜樣品。
5.如權(quán)利要求1所述的一種硒化錫光伏薄膜的制備方法,其特征在于,步驟d所述密閉容器內(nèi)放入15.0~25.0份水合聯(lián)氨。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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