[發(fā)明專利]鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610092178.2 | 申請日: | 2016-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN105632670B | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 袁敏生;韓玉成;朱雪婷;陳思纖 | 申請(專利權(quán))人: | 中國振華集團云科電子有限公司 |
| 主分類號: | H01C17/12 | 分類號: | H01C17/12;H01C17/065;H01C17/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱敏電阻器 鉑薄膜 包封 制造 片式薄膜電阻器 焊點 等離子體刻蝕 膜層熱處理 生產(chǎn)成本低 激光數(shù)碼 生產(chǎn)效率 手工裂片 陶瓷基片 引線焊接 燒結(jié) 拋光 包封層 電阻體 體積小 鉑金 濺射 膜層 固化 | ||
本發(fā)明公開了一種鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法,屬于片式薄膜電阻器制造方法。它包括陶瓷基片拋光、鉑金膜層濺射、膜層熱處理、等離子體刻蝕、激光數(shù)碼調(diào)阻、電阻體包封、燒結(jié)、手工裂片、引線焊接、焊點包封、包封層固化。本發(fā)明具有生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品體積小、阻值精度高等優(yōu)點,是一種大規(guī)模生產(chǎn)鉑薄膜熱敏電阻器的理想方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電阻器,尤其涉及一種鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法。
背景技術(shù)
鉑薄膜熱敏電阻器具有體積小、測溫精度高、熱穩(wěn)定性好、測溫范圍廣、熱響應(yīng)時間快、耐酸堿腐蝕等特點,因此被廣泛應(yīng)用于工業(yè)精確測溫、精確控溫和精確溫度顯示儀器儀表領(lǐng)域。
鉑電阻的傳統(tǒng)制造方法是通過厚膜印刷工藝在陶瓷基片上印刷鉑漿料、經(jīng)激光進行蛇形調(diào)阻、絲網(wǎng)印刷二次玻璃獲得。絲網(wǎng)印刷過程中,網(wǎng)框和刮刀均會粘附大量鉑金漿料,絲印完畢后,清洗網(wǎng)框和刮刀易造成貴金屬鉑漿浪費,增加生產(chǎn)成本。根據(jù)具體阻值要求,厚膜印刷的鉑金膜層干燥厚度為25μm~40μm,利用大功率激光蛇形調(diào)阻獲得目標電阻值,再通過絲網(wǎng)印刷玻璃保護層。絲網(wǎng)印刷厚膜鉑電阻有效電阻體寬度最小為150μm,因此,用厚膜工藝生產(chǎn)的鉑電阻體積較大;激光蛇形調(diào)阻過程中,高能量的激光束與鉑金膜層接觸瞬間產(chǎn)生的高溫在改變流經(jīng)電阻體的電流路徑時,還會燒蝕周圍的膜層材料,使切割后的有效電阻體面積小于理論面積。由于鉑材電阻值具有對溫度變化比較敏感的特性,鉑金膜層大面積受到瞬間高溫作用,相當于對膜層進行一次快速加熱快速退火,使膜層微觀組織發(fā)生變化,膜層方阻隨之發(fā)生變化;另外,激光對厚膜進行蛇形調(diào)阻過程中,功率高達8W,切割速率大于150mm/s,切割頻率高達800Hz,這種情況下,激光切割產(chǎn)生的熱量來不及進行傳導(dǎo),此時測量系統(tǒng)測得的阻值比鉑金膜層實際阻值高。因此,采用厚膜印刷工藝生產(chǎn)鉑電阻存在生產(chǎn)成本高、生產(chǎn)效率低、產(chǎn)品體積大、阻值精度差等缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷,本發(fā)明旨在提供一種生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品體積小、阻值精度高的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括陶瓷基片拋光、鉑金膜層濺射、膜層熱處理、等離子體刻蝕、激光數(shù)碼調(diào)阻、電阻體包封、燒結(jié)、手工裂片、引線焊接、焊點包封、包封層固化。具體方法如下:
1)對99瓷基片上下表面進行拋光處理,表面粗糙度控制在0.10μm~0.15μm;
2)用濃度為5%的NaOH溶液對拋光的陶瓷基片進行浸煮,用去離子水超聲清洗基片,去除基片上殘留的NaOH溶液,將基片置于烘箱中進行干燥;
3)將干燥的基片放入離子濺射機腔體內(nèi),以鉑金作為靶材,在基片表面沉積1.0μm~1.2μm的鉑金膜層;
4)用恒溫加熱爐對鉑金膜層進行熱處理,熱處理溫度為400℃~600℃,熱處理時間為150min;
5)用等離子體對熱處理后的鉑金膜層進行刻蝕,獲得目標電阻體線寬為4μm~5μm的圖形;
6)用0.02W~0.5W、Q開關(guān)頻率為2~20KHz、調(diào)阻速率為20mm/s~150mm/s的半導(dǎo)體激光對電阻體進行數(shù)碼調(diào)阻,將電阻體阻值調(diào)到目標阻值和精度;
7)用去離子水清洗激光調(diào)阻后的基片,去除殘留在基片表面的粉塵,將基片置于烘箱中進行干燥;
8)在電阻體表面印刷高溫玻璃漿料,并置于烘箱中進行固化;
9)用手工裂片方式對固化后的陶瓷基片進行一次、二次裂片;
10)用不銹鋼鉗子截取0.15mm×0.25mm的鉑金絲,長度為8mm~10mm;
11)用5000W的電子壓焊機將截面尺寸為0.15mm×0.25mm、長度為8mm~10mm的鉑金絲一端焊接在電極上;
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