[發明專利]鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法

有效

• 申請號: 201610092178.2
• 申請日: 2016-02-19
• 公開（公告）號: CN105632670B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 袁敏生;韓玉成;朱雪婷;陳思纖
• 申請（專利權）人: 中國振華集團云科電子有限公司
• 主分類號: H01C17/12
• 分類號: H01C17/12;H01C17/065;H01C17/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是包括陶瓷基片拋光、鉑金膜層濺射、膜層熱處理、等離子體刻蝕、激光數碼調阻、電阻體包封、燒結、手工裂片、引線焊接、焊點包封和包封層固化；具體方法如下：

1)對99瓷基片上下表面進行拋光處理，表面粗糙度控制在0.10μm～0.15μm；

2)用濃度為5％的NaOH溶液對拋光的陶瓷基片進行浸煮，用去離子水超聲清洗基片，去除基片上殘留的NaOH溶液，將基片置于烘箱中進行干燥；

3)將干燥的基片放入離子濺射機腔體內，以鉑金作為靶材，在基片表面沉積1.0μm～1.2μm的鉑金膜層；

4)用恒溫加熱爐對鉑金膜層進行熱處理，熱處理溫度為400℃～600℃，熱處理時間為150min；

5)用等離子體對熱處理后的鉑金膜層進行刻蝕，獲得目標電阻體線寬為4μm～5μm的圖形；

6)用0.02W～0.5W、Q開關頻率為2～20KHz、調阻速率為20mm/s～150mm/s的半導體激光對電阻體進行數碼調阻，將電阻體阻值調到目標阻值和精度；

7)用去離子水清洗激光調阻后的基片，去除殘留在基片表面的粉塵，將基片置于烘箱中進行干燥；

8)在電阻體表面印刷高溫玻璃漿料，并置于烘箱中進行固化；

9)用手工裂片方式對固化后的陶瓷基片進行一次、二次裂片；

10)用不銹鋼鉗子截取0.15mm×0.25mm的鉑金絲，長度為8mm～10mm；

11)用5000W的電子壓焊機將截面尺寸為0.15mm×0.25mm、長度為8mm～10mm的鉑金絲一端焊接在電極上；

12)配制高溫玻璃漿料，均勻涂覆在鉑金絲焊點表面，待玻璃漿料干燥后置于烘箱中進行固化。

2.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟2中：用濃度為5％的NaOH溶液對拋光的陶瓷基片進行浸煮15min，用去離子水反復3次超聲清洗基片，每次清洗5min,去除基片上殘留的NaOH溶液，用壓縮空氣吹干基片表面水滴，將基片置于150℃烘箱中干燥60min。

3.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟7中：用去離子水清洗激光數碼調阻后的基片3min，如此反復兩次，去除殘留在基片表面的粉塵。

4.如權利要求3所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟7中：去除殘留在基片表面的粉塵后,用壓縮空氣吹干基片表面水滴，將基片置于150℃烘箱中干燥60min；所述步驟8中,在電阻體表面印刷高溫玻璃漿料，150℃干燥30min；將玻璃漿料干燥后的陶瓷基片靜置在恒溫爐中，550℃～600℃保溫70min對玻璃層進行固化。

5.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟10中：用不銹鋼鉗子截取0.15mm×0.25mm的鉑金絲，長度為8mm～10mm，用工業酒精超聲清洗5min～8min，用去離子水超聲清洗鉑金絲上殘留的酒精3min～5min，清洗后的鉑金絲靜置在150℃恒溫箱中烘烤30min～35min，烘干水分。

6.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟11中，所述電極經過如下處理：用無塵布包裹醫用棉簽兩端，用工業酒精浸濕無塵布，輕輕來回擦拭鉑金電極，如此反復四次，將擦拭電極后的半成品放在潔凈的干燥環境，靜置3min～5min，待酒精揮發完畢。

7.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟11中，所述5000W的壓焊機電流調整為23A～25A。

8.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟12中，配制高溫玻璃漿料，均勻涂覆在鉑金絲與鉑金絲焊點表面，厚度為500μm～600μm，置于常溫下干燥2h。

9.如權利要求1所述的鉑薄膜熱敏電阻器的制造方法，其特征是所述步驟12中，將高溫玻璃漿料干燥后的半成品放入恒溫爐中，600℃～650℃保溫70min進行焊點包封層固化，固化后的玻璃層厚度為300μm～400μm。