[發明專利]基于石墨烯的薄膜層疊體及其制造方法

有效

• 申請號: 201610092171.0
• 申請日: 2016-02-19
• 公開（公告）號: CN107026246B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 樸種漢;曹承旻;徐順愛;申召詺;金泰光;金善永
• 申請（專利權）人: 韓華航空航天公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;孫昌浩

本發明公開一種基于石墨烯的薄膜層疊體及其制造方法。所公開的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法包括將步驟(a)至步驟(d)作為一次循環并將所述一次循環以相同方式重復執行至N次循環的步驟，其中，N次循環是60次以下的循環。另外，本發明還公開了包含有所述基于石墨烯的薄膜層疊體的電極和電子元件。

技術領域

本發明涉及一種基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法以及所述基于石墨烯的薄膜層疊體。

背景技術

石墨烯是碳原子之間的間距約為且形成為正六邊形結構的2維物質。所述石墨烯具有優良的強度、熱導率以及電子遷移率等特性，所以可以應用于透明電極或者基于石墨烯的各種電子元件。

石墨烯通常可以利用機械剝離法、化學沉積法、外延合成法或者化學剝離法等方法而制造。如此制造的石墨烯的面電阻為幾千Ω/sq，所以需要減少面電阻以應用于工業。

為了改善面電阻，正在嘗試層疊多層石墨烯的方法。但是在這種情況下，工序執行次數增加，從而導致成本或者重復執行時的次品率增加，所以開發方向轉變為在單層石墨烯中提高電荷遷移率或者增加電荷密度的方向。

因此，依然需要能夠改善電荷遷移率以及面電阻的新結構的石墨烯結構體的制造方法以及所述石墨烯結構體等。

發明內容

根據本發明的一方面，其目的在于提供一種能夠改善電荷遷移率以及平均面電阻的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法。

根據另一方面，本發明的目的在于提供所述基于石墨烯的薄膜層疊體。

根據本發明的一方面，提供一種基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法，包括將如下的步驟(a)至步驟(d)作為一次循環并將所述一次循環以相同方式重復執行至N次循環的步驟，其中N次循環是60次以下的循環：

(a)令轉移到常溫基板上的石墨烯的表面與非金屬前驅氣體接觸，同時以等離子體進行激活的步驟；

(b)利用惰性氣體而對與所述非金屬前驅氣體接觸并得到激活的石墨烯表面進行第一次清洗的步驟；

(c)使得到清洗的石墨烯表面與金屬前驅氣體接觸的步驟；以及

(d)利用惰性氣體而對與所述金屬前驅氣體接觸的石墨烯表面進行第二次清洗的步驟。

根據本發明的另一方面，提供一種根據如上所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法制造的基于石墨烯的薄膜層疊體。

根據本發明的基于石墨烯的薄膜層疊體及其制造方法，包括將步驟(a)至步驟(d)作為一次循環并將所述一次循環以相同方式重復執行至N次循環的構成，其中N次循環是60次以下的循環，據此可以改善電荷遷移率(具體為電子遷移率)以及平均面電阻。

附圖說明

圖1是根據一實施例的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法的順序圖。

圖2是根據圖1制造的基于石墨烯的薄膜層疊體的示意圖。

圖3a以及圖3b分別為根據比較例1的基于石墨烯的層疊體以及根據實施例1的基于石墨烯的AZO薄膜層疊體的掃描式電子顯微鏡(SEM)圖像。

圖4是關于根據比較參照例1的基于石墨烯的層疊體以及根據參照例1的基于石墨烯的AZO薄膜層疊體的光穿透率測量結果。

圖5是關于根據實施例2的基于石墨烯的AZO薄膜層疊體以及根據比較例1～3的基于石墨烯的層疊體或者AZO薄膜層疊體的平均面電阻測量結果。

圖6是根據一實施例的有機發光元件的示意圖。

圖7是根據一實施例的背柵(back-gated)電場效應晶體管(FET)的示意圖。