[發明專利]基于石墨烯的薄膜層疊體及其制造方法有效
| 申請號: | 201610092171.0 | 申請日: | 2016-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN107026246B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 樸種漢;曹承旻;徐順愛;申召詺;金泰光;金善永 | 申請(專利權)人: | 韓華航空航天公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;孫昌浩 |
| 地址: | 韓國慶尚*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 石墨 薄膜 層疊 及其 制造 方法 | ||
1.一種基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,包括將如下的步驟(a)至步驟(d)作為一次循環并將所述一次循環以相同方式重復執行至N次循環的步驟,其中N次循環是60次以下的循環:
(a)令轉移到常溫基板上的石墨烯的表面與非金屬前驅氣體接觸,同時以等離子體進行激活的步驟;
(b)利用惰性氣體而對與所述非金屬前驅氣體接觸并得到激活的石墨烯表面進行第一次清洗的步驟;
(c)使得到清洗的石墨烯表面與金屬前驅氣體接觸的步驟;以及
(d)利用惰性氣體而對與所述金屬前驅氣體接觸的石墨烯表面進行第二次清洗的步驟,
其中,(c)步驟中的所述金屬前驅氣體為鋁前驅氣體的循環次數與(c)步驟中的所述金屬前驅氣體為鋅前驅氣體的循環次數之比是1:13至1:49。
2.如權利要求1所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
在所述步驟(a)中轉移的石墨烯為通過化學氣相沉積法形成的石墨烯。
3.如權利要求1所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
所述金屬前驅氣體為鋁前驅氣體或鋅前驅氣體。
4.如權利要求3所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
所述鋁前驅氣體包括鹵化鋁、有機鋁化合物或者其組合。
5.如權利要求3所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
所述鋅前驅氣體為有機鋅化合物。
6.如權利要求5所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
所述有機鋅化合物包括二乙基鋅。
7.如權利要求1所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
所述步驟(a)以及所述步驟(c)中,當所述石墨烯表面或所述得到清洗的石墨烯表面與所述非金屬前驅氣體或所述金屬前驅氣體接觸時,石墨烯表面的溫度是80℃至100℃。
8.如權利要求1所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法,其中,
在所述步驟(a)至所述步驟(d)中,所述基板的溫度維持為100℃以下。
9.一種基于石墨烯的薄膜層疊體,利用權利要求1至8中的任意一項所述的基于石墨烯的薄膜層疊體的制造方法而制造。
10.如權利要求9所述的基于石墨烯的薄膜層疊體,其中,
所述基于石墨烯的薄膜層疊體具有在石墨烯表面依次層疊有Al2O3層以及ZnO層的結構。
11.如權利要求10所述的基于石墨烯的薄膜層疊體,其中,
層疊的所述Al2O3層以及ZnO層的平均厚度是10nm以下。
12.如權利要求9所述的基于石墨烯的薄膜層疊體,其中,
所述基于石墨烯的薄膜層疊體的平均面電阻是250Ω/sq以下。
13.如權利要求9所述的基于石墨烯的薄膜層疊體,其中,
所述基于石墨烯的薄膜層疊體中存在的鋁的含量以薄膜中存在的全部金屬100原子%為基準而占0.7至2.8原子%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





