[發明專利]配向膜厚度均一性的優化方法及液晶顯示面板

在審

• 申請號: 201610091187.X
• 申請日: 2016-02-18
• 公開（公告）號: CN105549269A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 豆婷;李強
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G02F1/1362;G03F1/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;侯藝

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，具體是一種配向膜厚度均一性的優化方法 以及利用該優化方法得到的液晶顯示面板。

背景技術

隨著觸控技術和顯示技術的發展，觸控顯示面板已經被廣泛應用于智能手 機、平板電腦等智能電子產品中，為人機交互帶來更便捷地體驗。

通常地，液晶顯示面板的主要結構包括彩膜基板(CF，ColorFilter)、薄膜 晶體管陣列基板(TFTArraySubstrate，ThinFilmTransistorArraySubstrate)、設 置在彩膜基板和薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層(LiquidCrystalLayer)和間 隔物(PS，PhotoSpacer)、以及密封膠框(Sealant)。其中，在彩膜基板的下表 面、薄膜晶體管陣列基板的上表面均涂布了一層配向膜(PI)，作用是使液晶分 子按照一定的方向和角度排列，因此配向膜對于液晶顯示面板而言是必不可少 的，而且配向膜的厚度是否均一會對液晶顯示面板的光學品質產生一定影響。

如圖1所示，在薄膜晶體管陣列基板2一側的鈍化層100(PV，Passivation) 上設有用于控制液晶盒內液晶產生偏轉的透明ITO膜層500，結合圖2可知，該 ITO膜層并不是沉積在鈍化層上的一整面圖層，而是通過刻蝕工藝得到的圖案化 圖形，因此才會有如圖1所示的同一ITO膜層500并不是連續設置，而是之間 有一定間隔。故在薄膜晶體管陣列基板2上表面涂布整面配向膜600時，部分 配向膜是覆蓋在ITO膜層上的，同時也有部分配向膜是覆蓋在處于ITO膜層間 隔處的鈍化層100上的，這就導致了配向膜的厚度不一致的問題。

如圖3所示，涂布于非ITO層區域(即涂布于鈍化層100)上的配向膜600厚度為H1，涂布于ITO膜層500上的配向膜600厚度為H2，二者之間的差值△H＝H1-H2，該差值可稱為配向膜厚度的斷差(即涂布于ITO層上的配向膜厚度與涂布于非ITO層區域上的配向膜厚度之差)。配向膜的斷差主要是受到ITO層厚度的影響，ITO層厚度導致了配向膜在不同區域有不同的厚度。圖4(a)-1至(a)-3中，ITO膜層的厚度依次為和圖4(b)-1至(b)-3是在圖4(a)-1至(a)-3中ITO膜層上涂布配向膜后，產生斷差的示意圖。從這些圖的對比可以看出，ITO膜層的厚度越大，配向膜的斷差△H越大。考慮到配向膜在液晶顯示面板中所起到的作用可知，配向膜的厚度一致性對于液晶顯示面板的顯示效果有著重要影響，因此實有必要對現有相關技術進行改進和優化以解決上述結構中存在的配向膜厚度不一致、出現斷差的問題。

發明內容

為克服現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種。

本發明提供一種配向膜厚度均一性的優化方法，所述配向膜用于液晶顯示 面板，所述優化方法包括以下步驟：

提供沉積有鈍化層的薄膜晶體管陣列基板；在所述鈍化層上涂布光阻；將 所述薄膜晶體管陣列基板劃分為不同區域，對處于不同區域的光阻分別進行半 色調掩膜曝光和普通掩膜曝光；對進行半色調掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所 述光阻進行顯影；對顯影后的所述光阻和鈍化層進行刻蝕；刻蝕后，去除所述 光阻；去除所述光阻后，沉積ITO膜層；對所述ITO膜層進行刻蝕，得到ITO 膜層上表面與鈍化層上表面處于同一平面的薄膜晶體管陣列基板；在所述ITO 膜層上表面和所述鈍化層上表面涂布配向膜。

作為一種實施方式，在本發明所述優化方法中，將所述薄膜晶體管陣列基 板劃分為不同區域，對處于不同區域的光阻分別進行半色調掩膜曝光和普通掩 膜曝光是將所述薄膜晶體管陣列基板劃分為第一區域和第二區域，對處于第一 區域的所述光阻進行半色調掩膜曝光，對處于第二區域的所述光阻進行普通掩 膜曝光。進一步地，對處于第一區域的所述光阻進行半色調掩膜曝光是采用半 色調掩膜對第一區域的所述光阻進行不完全曝光，第一區域將對應形成ITO膜 層，對處于第二區域的所述光阻進行普通掩膜曝光是采用普通掩膜對第二區域 的所述光阻進行完全曝光，第二區域將對應形成接觸孔。作為一種實施方式， 在本發明所述優化方法中，對進行半色調掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所述光 阻進行顯影后，使處于所述第一區域的光阻形成若干間隔設置的凹槽，所述第 二區域內形成貫穿于所述光阻的開孔。