[發明專利]配向膜厚度均一性的優化方法及液晶顯示面板

在審

• 申請號: 201610091187.X
• 申請日: 2016-02-18
• 公開（公告）號: CN105549269A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 豆婷;李強
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G02F1/1362;G03F1/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;侯藝

1.一種配向膜厚度均一性的優化方法，所述配向膜用于液晶顯示面板，其 特征在于：所述優化方法包括以下步驟：

提供沉積有鈍化層的薄膜晶體管陣列基板；在所述鈍化層上涂布光阻；將 所述薄膜晶體管陣列基板劃分為不同區域，對處于不同區域的光阻分別進行半 色調掩膜曝光和普通掩膜曝光；對進行半色調掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所 述光阻進行顯影；對顯影后的所述光阻和鈍化層進行刻蝕；刻蝕后，去除所述 光阻；去除所述光阻后，沉積ITO膜層；對所述ITO膜層進行刻蝕，得到ITO 膜層上表面與鈍化層上表面處于同一平面的薄膜晶體管陣列基板；在所述ITO 膜層上表面和所述鈍化層上表面涂布配向膜。

2.如權利要求1所述的優化方法，其特征在于：將所述薄膜晶體管陣列基 板劃分為不同區域，對處于不同區域的光阻分別進行半色調掩膜曝光和普通掩 膜曝光是將所述薄膜晶體管陣列基板劃分為第一區域和第二區域，對處于第一 區域的所述光阻進行半色調掩膜曝光，對處于第二區域的所述光阻進行普通掩 膜曝光。

3.如權利要求2所述的優化方法，其特征在于：對處于第一區域的所述光 阻進行半色調掩膜曝光是采用半色調掩膜對第一區域的所述光阻進行不完全曝 光，第一區域將對應形成ITO膜層，對處于第二區域的所述光阻進行普通掩膜 曝光是采用普通掩膜對第二區域的所述光阻進行完全曝光，第二區域將對應形 成接觸孔。

4.如權利要求3所述的優化方法，其特征在于：對進行半色調掩膜曝光和 普通掩膜曝光后的所述光阻進行顯影后，使處于所述第一區域的光阻形成若干 間隔設置的凹槽，所述第二區域內形成貫穿于所述光阻的開孔。

5.如權利要求4所述的優化方法，其特征在于：對顯影后的所述光阻和鈍 化層進行刻蝕是對處于第一區域的光阻及其下方的鈍化層進行刻蝕，使處于第 一區域的所述鈍化層形成若干間隔設置的凹槽，同時對第二區域的所述鈍化層 進行刻蝕，形成貫穿于第二區域的所述鈍化層的接觸孔。

6.如權利要求2-4任一項所述的優化方法，其特征在于：對所述ITO膜層 進行刻蝕，得到處于所述第一區域中的所述ITO膜層上表面與處于所述第一區 域中的所述鈍化層上表面處于同一平面的薄膜晶體管陣列基板。

7.如權利要求6所述的優化方法，其特征在于：處于所述第一區域內的所 述配向膜下表面為平面。

8.如權利要求1-4任一項所述的優化方法，其特征在于：去除所述光阻后 沉積ITO膜層是在鈍化層的上表面沉積形成ITO膜層。

9.如權利要求1-4任一項所述的優化方法，其特征在于：所述配向膜整面 涂布在所述ITO膜層上表面和所述鈍化層上表面，使所述配向膜上表面為平面。

10.一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括相對設置的彩膜基板和薄 膜晶體管陣列基板、以及設置于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間 的液晶層；其特征在于：在所述薄膜晶體管陣列基板上表面依次設有鈍化層和 ITO膜層，且所述鈍化層的上表面與所述ITO膜層的上表面處于同一平面，在所 述鈍化層上表面和所述ITO膜層上表面涂布有配向膜。