[發明專利]環狀液體收集裝置有效
| 申請號: | 201610090995.4 | 申請日: | 2016-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN107093567B | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 蘇左將;張宏源;張芳丕 | 申請(專利權)人: | 頂程國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;叢芳 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 環狀 液體 收集 裝置 | ||
本發明公開了一種環狀液體收集裝置,其包含環形外殼、多個液體收集板、多個軟質折疊層及多個收集板延伸支架。多個液體收集板安裝于環形外殼中。多個軟質折疊層分別安裝于多個液體收集板之間,以及多個收集板延伸支架分別連接于對應的多個液體收集板,以分別改變多個液體收集板的高度,使多個軟質折疊層其中一個呈現伸張狀態,以進行液體回收。借此,本發明的環狀液體收集裝置,可以避免回收液體相互污染。
技術領域
本發明涉及一種環狀液體收集裝置,且特別涉及一種軟性材質的環狀液體收集裝置。
背景技術
近年來,由于半導體技術的日益進步,集成電路使用于電子設備的數量越來越多,功能也越來越強大。蝕刻技術則廣泛地被應用在半導體工藝之中。
傳統上,蝕刻技術可大致分為濕式蝕刻以及干式蝕刻。針對不同的材料及特征尺寸,制造者選擇不同的蝕刻方式。濕式蝕刻主要是利用化學反應原理,使用化學蝕刻液與所欲蝕刻的層別進行反應,而將其溶解。因此,濕式蝕刻具有低工藝成本的優勢。
濕式蝕刻使用不同的化學液體進行半導體材料的蝕刻。為了回收各種不同的化學液體,以及清洗半導體材料上殘留化學液體所需的去離子水(DI Water),傳統上簡單的開口式單晶圓濕式蝕刻機使用不同高度的多個收集槽,以在不同的高度收集不同的液體,以減少化學液體的污染的情況。
因此,如何能提高液體收集槽的收集空間,避免化學液體的相互污染,為半導體的生產廠商及半導體生產設備的廠商所殷殷企盼。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種環狀液體收集裝置,可以避免回收液體相互污染。
本發明內容的一實施例是有關于一種環狀液體收集裝置,其包含有環形外殼,多個液體收集板安裝于環形外殼中,多個軟質折疊層分別安裝于多個液體收集板之間,以及多個收集板延伸支架分別連接于對應的多個液體收集板,以分別改變多個液體收集板的高度,使多個軟質折疊層其中一個呈現伸張狀態以進行液體回收。
在一些實施例中,環形外殼還包含升降器開槽,以使多個收集板延伸支架經由升降器開槽,由環形外殼內部向外延伸。
在一些實施例中,環狀液體收集裝置還包含有收集板升降裝置,以及多個收集板垂直升降器分別連接對應的多個收集板延伸支架,以改變多個液體收集板的高度。
在一些實施例中,收集板升降裝置是液壓收集板升降裝置、氣壓收集板升降裝置或馬達收集板升降裝置。
在一些實施例中,至少其中一個液體收集板可向上升高并超過環形外殼的高度,例如是液體收集板頂蓋。
在一些實施例中,環狀液體收集裝置還包含有多個泄流口,其分別安裝于對應的多個液體收集板,以將回收的液體向外排出至外部回收裝置。
在一些實施例中,液體收集板由內側向外側與向下傾斜,以利用重力將回收的液體排出至外部回收裝置。
在一些實施例中,環狀液體收集裝置還包含有主排氣裝置與多個排氣閥,多個排氣閥分別安裝于對應的多個液體收集板,以將廢氣排出環狀液體收集裝置。
在一些實施例中,環狀液體收集裝置還包含有間隙排氣閥,其安裝于環形外殼,以將多個液體收集板與環形外殼之間的廢氣排出環狀液體收集裝置。
在一些實施例中,環狀液體收集裝置安裝于濕式蝕刻機臺中,濕式蝕刻機臺的轉盤位于環狀液體收集裝置中,以放置基材于其上,進行濕式蝕刻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于頂程國際股份有限公司,未經頂程國際股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610090995.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種水泥板刮取裝置
- 下一篇:一種混凝土制磚激振成型機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





