[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610086854.5
• 申請(qǐng)日: 2016-02-16
• 公開（公告）號(hào): CN106935586A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永井享浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器為用以存儲(chǔ)信息或數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體組件，廣泛地應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、網(wǎng)絡(luò)等方面，已成為生活中不可或缺的重要電子產(chǎn)品。由于計(jì)算機(jī)微處理器的功能越來越強(qiáng)，軟件所進(jìn)行的程序與運(yùn)算也隨之增加，且各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量也日趨增加，因此存儲(chǔ)器的容量需求也就越來越高。

在目前存儲(chǔ)器組件不斷微小化的趨勢下，業(yè)界積極地在有限的空間中提升存儲(chǔ)器組件的積集度，也因而使得存儲(chǔ)器組件的結(jié)構(gòu)與制作工藝日趨復(fù)雜。因此，在存儲(chǔ)器組件的制作過程中，常需要使用許多光掩模來完成存儲(chǔ)器組件的制作，進(jìn)而造成制造成本大幅地提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單且制作工藝的復(fù)雜度低，進(jìn)而可有效地降低制造成本。

本發(fā)明提出一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括基底、選擇柵極結(jié)構(gòu)、第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)及浮置接觸窗。選擇柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底上。第一重?fù)诫s區(qū)與第二重?fù)诫s區(qū)分別設(shè)置于選擇柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)與另一側(cè)的基底中。浮置接觸窗設(shè)置于第一重?fù)诫s區(qū)與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底上，且與基底相互隔離。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，選擇柵極結(jié)構(gòu)包括選擇柵極及介電層。選擇柵極設(shè)置于基底上。介電層設(shè)置于選擇柵極與基底之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，浮置接觸窗的頂面例如是高于選擇柵極結(jié)構(gòu)的頂面。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，浮置接觸窗例如是橫越主動(dòng)區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，浮置接觸窗與基底之間例如是不具有金屬硅化物層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)設(shè)置于浮置接觸窗與基底之間，可用以隔離浮置接觸窗與基底。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，介電結(jié)構(gòu)可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第一輕摻雜區(qū)。第一輕摻雜區(qū)設(shè)置于第一重?fù)诫s區(qū)與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底中。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第二輕摻雜區(qū)。第二輕摻雜區(qū)設(shè)置于第二重?fù)诫s區(qū)與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底中。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第一接觸窗。第一接觸窗電連接至第一重?fù)诫s區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)及第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)電連接于第一接觸窗。第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)電連接于浮置接觸窗。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)側(cè)邊的第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的一側(cè)、位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)或環(huán)繞第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，部分第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的上方。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第二接觸窗。第二接觸窗電連接至第二重?fù)诫s區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可用于作為一次可編程的存儲(chǔ)器(OTP memory)、多次可編程的存儲(chǔ)器(MTP memory)或閃存存儲(chǔ)器(flash memory)。

基于上述，由于本發(fā)明所提出的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)是使用浮置接觸窗來進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)，所以存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)具有簡單的結(jié)構(gòu)，且可通過簡易的制作工藝形成，進(jìn)而可有效地降低制造成本。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖2為圖1中的浮置接觸窗與主動(dòng)區(qū)的示意圖；

圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖；

符號(hào)說明

100、100a、100b：存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

102：基底

104：選擇柵極結(jié)構(gòu)

106、108：重?fù)诫s區(qū)

110：浮置接觸窗

110a、132a、134a：接觸窗開口

112：選擇柵極

114：介電層

116：間隙壁

118、120：輕摻雜區(qū)

122、122a：介電結(jié)構(gòu)