[發明專利]存儲器結構

在審

• 申請號: 201610086854.5
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN106935586A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種存儲器結構，包括：

基底；

選擇柵極結構，設置于該基底上；

第一重摻雜區與第二重摻雜區，分別設置于該選擇柵極結構一側與另一側的該基底中；以及

浮置接觸窗，設置于該第一重摻雜區與該選擇柵極結構之間的該基底上，且與該基底相互隔離。

2.如權利要求1所述的存儲器結構，其中該選擇柵極結構包括：

選擇柵極，設置于該基底上；以及

介電層，設置于該選擇柵極與該基底之間。

3.如權利要求1所述的存儲器結構，其中該浮置接觸窗的頂面高于該選擇柵極結構的頂面。

4.如權利要求1所述的存儲器結構，其中該浮置接觸窗橫越主動區。

5.如權利要求1所述的存儲器結構，其中該浮置接觸窗與該基底之間不具有金屬硅化物層。

6.如權利要求1所述的存儲器結構，還包括介電結構，設置于該浮置接觸窗與該基底之間，以隔離該浮置接觸窗與該基底。

7.如權利要求6所述的存儲器結構，其中該介電結構為單層結構或多層結構。

8.如權利要求1所述的存儲器結構，還包括第一輕摻雜區，設置于該第一重摻雜區與該選擇柵極結構之間的該基底中。

9.如權利要求1所述的存儲器結構，還包括第二輕摻雜區，設置于該第二重摻雜區與該選擇柵極結構之間的該基底中。

10.如權利要求1所述的存儲器結構，還包括第一接觸窗，電連接至該第一重摻雜區。

11.如權利要求10所述的存儲器結構，還包括：

第一內聯機結構，電連接于該第一接觸窗；以及

第二內聯機結構，電連接于該浮置接觸窗。

12.如權利要求11所述的存儲器結構，其中位于該第二內聯機結構側 邊的該第一內聯機結構位于該第二內聯機結構的一側、位于該第二內聯機結構的兩側或環繞該第二內聯機結構。

13.如權利要求11所述的存儲器結構，其中部分該第一內聯機結構位于該第二內聯機結構的上方。

14.如權利要求1所述的存儲器結構，還包括第二接觸窗，電連接至該第二重摻雜區。

15.如權利要求1所述的存儲器結構，其用于作為一次可編程的存儲器、多次可編程的存儲器或閃存存儲器。