[發(fā)明專利]一種基于鈣鈦礦材料的發(fā)光二極管的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610083290.X | 申請日: | 2016-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN105609652B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚冀眾;顏步一 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 浙江一墨律師事務(wù)所33252 | 代理人: | 陳紅珊 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州市余杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 鈣鈦礦 材料 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于鈣鈦礦材料的發(fā)光二極管的制備方法。
背景技術(shù)
基于鈣鈦礦材料的發(fā)光二極管是一種使用諸如(CH3NH3PbX3-nYn)形式的化合物作為吸光材料的發(fā)光二極管,其中X、Y=Cl、Br、I等。發(fā)光二極管的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,從下往上依次分為透明基底層、透明導(dǎo)電電極、空穴/電子阻擋層、鈣鈦礦吸光層、電子/空穴阻擋層、金屬電極。其中研發(fā)重點關(guān)注的是鈣鈦礦吸光層。
現(xiàn)有的形成鈣鈦礦吸光層的主要方法首先將無水溴化鉛粉末(PbBr2)直接溶解于N,N-二甲基甲酰胺(DMF),加熱溶劑,此后將溶解好的溶劑旋涂在玻璃基底表面,形成一層PbBr2薄膜, 加熱這層薄膜使得溶劑完全揮發(fā); 然后將載有PbBr2薄膜的玻璃基底在甲基溴化銨(MABr)的異丙醇(IPA)溶液中浸泡30秒左右之后取出、旋轉(zhuǎn)甩干、再滴一定量的異丙醇,甩干;或者直接在PbBr2上面旋涂MABr溶液。此后,把薄膜連同玻璃基底轉(zhuǎn)移到加熱臺上,70~100攝氏度加熱10~120分鐘。在這個過程中MABr將與PbBr2反應(yīng),轉(zhuǎn)化成大小不一的(CH3NH3)PbBr3晶體。PbI2單體不易于MAI完全反應(yīng),反應(yīng)不完全,因此當形成了(CH3NH3)PbI3晶體后,仍舊會有少量的PbI2雜質(zhì)殘留在薄膜中,影響薄膜性質(zhì)穩(wěn)定。此外,由于PbBr2厚度較薄(一般小于20 納米),因此當形成了(CH3NH3)PbBr3晶體后,存在無法完全覆蓋的問題,造成上下兩層阻擋層直接接觸,形成電分流通路,影響薄膜電學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,降低了發(fā)光效率。此外,晶體大小不一,覆蓋不完整還影響了薄膜的平整度,造成薄膜的厚度不一,平整度差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種基于鈣鈦礦材料的發(fā)光二極管的制備方法,公開了一種鈣鈦礦吸光層材料的合成技術(shù),提高薄膜的覆蓋率和平整度,從而極大地提高鈣鈦礦吸光層薄膜的光能吸收效率。
本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,提供一種基于鈣鈦礦材料的發(fā)光二極管,由表層向里層依次包括透明基底層、透明導(dǎo)電電極、電子阻擋層或空穴阻擋層、鈣鈦礦吸光層、空穴阻擋層或電子阻擋層以及金屬導(dǎo)電層,鈣鈦礦吸光層包括溴化鉛絡(luò)合物,溴化鉛絡(luò)合物的化學(xué)通式為:PbBr2(U),其中, U為二甲基亞礬(簡稱 DMSO)、N,N-二甲基甲酰胺(簡稱DMF)以及甲胺的四氫呋喃(簡稱MA)三種化合物中的任意一種;
溴化鉛絡(luò)合物是將無水溴化鉛粉末與二甲基亞礬溶劑、或N,N-二甲基甲酰胺溶劑、或甲胺的四氫呋喃溶劑相混合,使得PbBr2粉末完全溶解于二甲基亞礬溶劑、或N,N-二甲基甲酰胺溶劑、或甲胺的四氫呋喃溶液中,再加入氯苯溶劑攪拌混合后靜置,并經(jīng)過過濾后得到的析出物。
進一步地,透明基底層的材料包括但不限于玻璃基底和聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底中的至少一種。
進一步地,透明導(dǎo)電電極沉積在透明基底層上,透明導(dǎo)電電極的材料包括但不限于摻銦氧化錫(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)和石墨烯中的至少一種。
進一步地,電子阻擋層或空穴阻擋層沉積在透明導(dǎo)電電極上,電子阻擋層或空穴阻擋層的材料包括但不限于石墨烯、聚(9,9-二辛基芴)(F8)、PEDOT:PSS、PTAA、CuSCN、CuI、MoOx、V2O5、NiO、spiro-OMeTAD、PEIE、PEI、ZnO、TiO2、PCBM中的至少一種;其沉積方法包括但不限于真空蒸發(fā)法、電子束蒸發(fā)法、磁控濺射法、原子層沉積法、光刻法、化學(xué)氣相沉積法、絲網(wǎng)印刷法、水熱法、電化學(xué)沉積法、旋涂(spin-coating)、刀片刮涂(blade-coating)、棒式涂布(bar coating)、夾縫式擠壓型涂布(slot-die coating)、噴涂(spray coating)、噴墨印刷(ink-jet printing) 中的至少一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





