[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610081038.5
• 申請(qǐng)日: 2016-02-04
• 公開（公告）號(hào): CN105655286A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈思杰;張怡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，包括用于形成核心存儲(chǔ)電路的第一區(qū)域和用于形成外圍電路 的第二區(qū)域；

在所述襯底上形成柵電極膜；

在所述柵電極膜表面形成初始硬掩膜；

采用第一刻蝕工藝，刻蝕所述初始硬掩膜，形成硬掩膜并形成貫穿所述 初始硬掩膜的開口，所述開口包括位于所述第一區(qū)域的第一開口，以及位于 所述第二區(qū)域的第二開口，所述第一開口的線寬小于所述第二開口的線寬；

在所述第一開口中填充犧牲層；

采用第二刻蝕工藝，刻蝕所述犧牲層和所述第一開口底部的所述襯底， 并沿所述第二開口刻蝕所述襯底，分別在所述第一區(qū)域襯底內(nèi)形成第一溝槽、 在所述第二區(qū)域襯底內(nèi)形成第二溝槽，所述第一溝槽的深度小于所述第二溝 槽的深度；

在所述第一溝槽內(nèi)形成第一隔離結(jié)構(gòu)，在所述第二溝槽內(nèi)形成第二隔離 結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜的 材料為氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成貫穿所述 初始硬掩膜的開口的步驟中，所述第一刻蝕工藝還刻蝕去除部分所述柵電 極膜，形成的開口還位于所述柵電極膜的部分深度內(nèi)；或者，所述第一刻 蝕工藝還刻蝕所述柵電極膜，形成的開口還貫穿所述柵電極膜。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的 材料為氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的 厚度為至

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述第一開 口中填充犧牲層的步驟中，所述犧牲層還覆蓋于所述第二開口的側(cè)壁表面 和底部表面；

所述形成方法還包括：在所述第二刻蝕工藝之前，去除所述第二開口內(nèi) 的犧牲層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述第一開 口內(nèi)填充犧牲層的工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽 的深度為至所述第二溝槽的深度為至

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕 工藝為等離子體干法刻蝕工藝；

所述等離子體干法刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體為CF₄和CH₂F₂， 刻蝕氣體的氣體流量為100sccm至110sccm，壓強(qiáng)為10mtorr至15mtorr，刻 蝕功率為500W至600W，刻蝕時(shí)間為10s至14s。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕 工藝為等離子體干法刻蝕工藝；

所述等離子體干法刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體為HBr，刻蝕氣 體的氣體流量為100sccm至120sccm，壓強(qiáng)為15mtorr至18mtorr，刻蝕功率 為550W至650W，刻蝕時(shí)間為60s至70s。