[發(fā)明專利]一種挽救甜葉菊組培苗霉菌污染的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610080337.7 | 申請日： | 2016-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN105684908A | 公開（公告）日： | 2016-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王少榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 王少榮 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 挽救 甜葉菊組培苗 霉菌 污染 方法 | ||
1.一種挽救甜葉菊組培苗霉菌污染的方法，其特征是，它包括以下技術(shù)環(huán)節(jié)：
①污染瓶中消毒：將甜葉菊組培污染瓶放在超凈工作臺上，打開瓶蓋將0.1%升汞倒入瓶中至淹沒培養(yǎng)基表面進行消毒處理；
②污染苗消毒：用剪刀將瓶中甜葉菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中處理，消毒后用無菌水沖洗3-4次；
③接種：用剪刀將消毒后的甜葉菊苗剪成0.5cm長左右的莖段，用鑷子將莖段接種到另一培養(yǎng)基瓶中，每瓶接種2個莖段；
④培養(yǎng)：將接種好的組培瓶放入組培室中培養(yǎng)，培養(yǎng)溫度20-25℃，光照強度2000lx，光照時間12h/d。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種挽救甜葉菊組培苗霉菌污染的方法，其特征是，所述升汞淹沒培養(yǎng)基表面高度為0.2-0.5cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種挽救甜葉菊組培苗霉菌污染的方法，其特征是，所述的升汞消毒培養(yǎng)基時間為5-8min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種挽救甜葉菊組培苗霉菌污染的方法，其特征是，所述的升汞消毒甜葉菊苗時間為1-2min。
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