[發明專利]電容器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201610079741.2
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107039535B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L21/02
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種電容器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括有源區；

位于所述襯底的有源區表面的主柵極結構、以及分別位于主柵極結構兩側的第一偽柵極結構；

分別位于所述主柵極結構兩側的襯底有源區內的摻雜區，所述摻雜區位于相鄰主柵極結構和第一偽柵極結構之間；

分別位于所述主柵極結構兩側的第一導電結構，所述第一導電結構位于主柵極結構一側的摻雜區表面和第一偽柵極結構表面。

2.如權利要求1所述的電容器件，其特征在于，所述第一導電結構包括：位于摻雜區表面的第一導電插塞、以及位于第一導電插塞頂部表面和第一偽柵極結構頂部表面的第一導電層。

3.如權利要求1所述的電容器件，其特征在于，還包括：位于所述襯底內的隔離結構，所述隔離結構包圍所述有源區。

4.如權利要求3所述的電容器件，其特征在于，還包括：位于所述隔離結構表面的第二偽柵極結構。

5.如權利要求4所述的電容器件，其特征在于，還包括：位于所述隔離結構表面的第二導電結構，所述第二導電結構位于所述第一偽柵極結構和第二偽柵極結構之間。

6.如權利要求5所述的電容器件，其特征在于，所述第二導電結構與所述第二偽柵極結構電連接。

7.如權利要求5所述的電容器件，其特征在于，所述第二導電結構與所述第一導電結構或所述第一偽柵極結構電連接。

8.如權利要求1所述的電容器件，其特征在于，所述摻雜區包括：位于所述主柵極結構兩側的襯底內的開口；位于所述開口內的外延層。

9.如權利要求8所述的電容器件，其特征在于，所述外延層的材料為硅鍺，所述外延層內摻雜有P型離子；或者，所述外延層的材料為磷化硅或碳化硅，所述外延層內摻雜有N型離子。

10.如權利要求1所述的電容器件，其特征在于，還包括：位于所述襯底有源區內的第一阱區，所述第一阱區內摻雜有第一類型離子；所述第一類型離子為P型離子或N型離子。

11.如權利要求10所述的電容器件，其特征在于，所述摻雜區內摻雜有第一類型離子。

12.如權利要求10所述的電容器件，其特征在于，位于所述第一阱區底部的襯底內的第二阱區，所述第二阱區內摻雜有第二類型離子；所述第二類型離子為N型離子或P型離子。

13.如權利要求12所述的電容器件，其特征在于，還包括：位于第一阱區和第二阱區之間的深阱區，所述深阱區內摻雜有第一類型離子。

14.如權利要求1所述的電容器件，其特征在于，還包括：位于所述襯底表面的層間介質層；所述主柵極結構、第一偽柵極結構和第一導電結構位于所述層間介質層內。

15.如權利要求1所述的電容器件，其特征在于，所述主柵極結構包括：位于襯底表面的主柵介質層、以及位于主柵介質層表面的主柵極層。

16.如權利要求15所述的電容器件，其特征在于，所述主柵介質層的材料為高K介質材料；所述主柵極層的材料為金屬。

17.如權利要求3所述的電容器件，其特征在于，所述襯底包括：基底、以及位于基底表面的鰭部；在所述鰭部內形成所述有源區；所述隔離結構位于所述基底表面以及部分鰭部的側壁表面，且所述隔離結構的表面低于所述鰭部的表面。