[發明專利]追蹤電路及靜態隨機存取存儲器

有效

• 申請號: 201610079638.8
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107039060B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 陳雙文;郝旭丹;方偉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C11/413
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

一種追蹤電路，用于靜態隨機存取存儲器，所述靜態隨機存取存儲器包括：靈敏放大器和至少一個靜態隨機存取位單元電路，所述靜態隨機存取位單元電路在字線信號控制下漏電；包括：互相并聯的多個使能時間模擬電路，所述多個使能時間模擬電路的輸入端接收所述靜態隨機存取存儲器的字線信號的鏡像信號，所述多個使能時間模擬電路適于模擬所述靜態隨機存取位單元電路的漏電，以得到漏電時間追蹤信號；驅動電路，所述驅動電路的輸入端連接所述使能時間模擬電路的輸出端，并根據所述漏電時間追蹤信號產生所述靈敏放大器的使能信號。本發明追蹤電路通過減小模擬得到的靈敏放大器使能時間的變動區間，可以提高靜態隨機存取存儲器的工作速度。

技術領域

本發明涉及電子技術領域，尤其是涉及一種追蹤電路及靜態隨機存取存儲器。

背景技術

隨著電子信息技術的飛速發展，人們對電子產品的速度提出了更高的要求，同時，速度也已經成為電路中最重要的指標之一，這對電路設計人員提出了更高的挑戰，電路設計人員需要對部分現有的功能電路進行優化，使之具有更快的速度。

靜態隨機存取存儲器(Static Random Access Memory，SRAM)是最常用的存儲器之一，采用靜態存儲方式，以靜態隨機存取位單元電路作為存儲單元。SRAM的特點是讀寫速度快，并且需要較小的供電電壓，功耗較低，并且無需配合內存刷新電路可提高工作效率，但掉電后數據不能保存。SRAM一般包括：由所述存儲單元組成的存儲陣列、靈敏放大器(Sensitive Amplifier，SA)、譯碼電路、控制電路和時序控制電路等，其中，所述靈敏放大器適于讀取所述存儲陣列所存儲的數據，并進行放大。在SRAM電路中還包括追蹤(Tracking)電路，常被用于產生靈敏放大器的使能信號，一般包括：使能時間模擬電路和驅動電路。由于所述追蹤電路是模擬SRAM存儲陣列中靜態隨機存取位單元電路的漏電，以得到合適的靈敏放大器使能時間t，那么，為保證SRAM運行的穩定，需要在設計中保證所述靈敏放大器使能時間t的變化區間(Variation)盡量小，此變化區間越小，就可以通過外部電路的匹配設計使得SRAM的工作速度越快。

但是，現有技術的SRAM中，追蹤電路追蹤得到的靈敏放大器的使能時間的變動區間較大，限制了SRAM的工作速度。

發明內容

本發明解決的技術問題是減小模擬得到的靈敏放大器使能時間的變動區間，從而提高SRAM的工作速度。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種追蹤電路，用于靜態隨機存取存儲器，所述靜態隨機存取存儲器包括：靈敏放大器和至少一個靜態隨機存取位單元電路，所述靜態隨機存取位單元電路在字線信號控制下漏電；包括：

互相并聯的多個使能時間模擬電路，所述多個使能時間模擬電路的輸入端接收所述靜態隨機存取存儲器的字線信號的鏡像信號，所述多個使能時間模擬電路適于模擬所述靜態隨機存取位單元電路的漏電，以得到漏電時間追蹤信號；

驅動電路，所述驅動電路的輸入端連接所述使能時間模擬電路的輸出端，并根據所述漏電時間追蹤信號產生所述靈敏放大器的使能信號。

可選地，所述使能時間模擬電路包括：

追蹤位單元電路，所述追蹤位單元電路的輸入端連接所述使能時間模擬電路的輸入端，所述追蹤位單元電路輸出第一邏輯信號；

負載位單元電路，所述負載位單元電路的輸入端連接所述追蹤位單元電路的輸出端，所述負載位單元電路適于為所述追蹤位單元電路提供相當于所述靜態隨機存取位單元電路的負載，所述追蹤位單元電路在所述字線信號的鏡像信號控制下驅動所述負載位單元電路，以模擬所述靜態隨機存取位單元電路的漏電。

可選地，所述使能時間模擬電路還包括：反相電路，所述反相電路的輸入端連接所述追蹤位單元電路的輸出端，所述反相電路的輸出端輸出所述漏電時間追蹤信號。