[發(fā)明專利]一種鍍制PVD防菌膜的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610078676.1
• 申請(qǐng)日: 2016-02-04
• 公開（公告）號(hào): CN105586576A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎劍文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞沙頭朝日五金電子制品有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/02;C23C14/14
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• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：包括如下步驟：

1）預(yù)處理：將工件表面洗凈，脫去氧化膜，放入真空爐內(nèi)，抽真空，升溫；

2）生成基礎(chǔ)膜層：?jiǎn)?dòng)Ti弧靶，充入Ar，加載偏壓，在工件表面沉積Ti基礎(chǔ)薄膜；

3）生成防菌膜層：關(guān)閉Ti弧靶，啟動(dòng)含不超過10%納米銀的Mo弧靶，充入Ar，加載偏壓，在工件表面沉積防菌膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：所述方法還包括防菌膜層沉積完成后關(guān)閉弧靶及所有電源，真空爐內(nèi)逐步升壓及降溫至不超過70℃后，取出工件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：所述步驟1）中預(yù)處理還包括抽真空后通入Ar將工件離子清洗20min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：所述步驟2）、3）中鍍膜方法均采用真空磁控濺射鍍膜法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：步驟1）中所述抽真空壓強(qiáng)至4.0×10^-3～6.0×10^-3Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：步驟1）中所述升溫溫度至100～150℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：步驟2）中所述通入Ar，使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到2~5Pa；步驟3）中所述充入Ar，使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到0.2~0.5Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：步驟2）中所述加載偏壓為-400V~-600V；步驟3）中所述加載偏壓為-50V~-100V。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種鍍制PVD防菌膜的方法，其特征是：步驟2）中所述沉積時(shí)間為8~15min；步驟3）中所述沉積時(shí)間為30~50min。