[發明專利]一種鍍制PVD防菌膜的方法

在審

• 申請號: 201610078676.1
• 申請日: 2016-02-04
• 公開（公告）號: CN105586576A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 黎劍文
• 申請（專利權）人: 東莞沙頭朝日五金電子制品有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種鍍制PVD膜方法，尤其涉及一種鍍制PVD防菌膜方法。

背景技術

PVD(PhysicalVaporDeposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。PVD操作時可選取不同的金屬蒸發，電離成電子態，利用電偏壓將離子引領到工件上，沉積成薄膜。在離子沉積到工件前，也可與其他離子作出反應結合，生成復合式薄膜，在硬度、光亮度、摩擦系數、顏色等方面發生變化，滿足在功能或外觀上的要求。

現在由于環境污染等原因的影響，人們生活中接觸的很多物品往往會帶有大量的細菌，成為細菌污染源和疾病傳播源。因此發展具有防菌性能的鍍層制品，對改善人們生活環境、保護人們健康有十分重要的現實意義。納米銀被證實對生活中常見的數十種致病微生物都有強烈的抑制和殺滅作用，而且不會產生耐藥性，因此納米銀現在也被廣泛應用到生活中。

現有技術中使用納米銀抗菌時，通常會將納米銀混合在其他材質中，以涂覆的方式保護工件表面，或者直接在工件表面鍍覆含有納米銀的薄膜。這些方法或者納米銀分布不均勻，或者是鍍層的耐磨性不夠好，不能長時間持續性防菌。

發明內容

本發明的目的是針對現有防菌膜納米銀分布不均勻、防菌時間不持久的問題，提供一種鍍制PVD防菌膜方法。

一種鍍制PVD防菌膜的方法，包括如下步驟：

1）預處理：將工件表面洗凈，脫去氧化膜，放入真空爐內，抽真空，升溫；

2）生成基礎膜層：啟動Ti弧靶，充入Ar，加載偏壓，在工件表面沉積Ti基礎薄膜；

3）生成防菌膜層：關閉Ti弧靶，啟動含不超過10%納米銀的Mo弧靶，充入Ar，加載偏壓，在工件表面沉積防菌膜層。

在其中一個實施例中，所述方法還包括防菌膜層沉積完成后關閉弧靶及所有電源，真空爐內逐步升壓及降溫至不超過70℃后，取出工件。

在其中一個實施例中，所述步驟1）中預處理還包括抽真空后通入Ar將工件離子清洗20min。

在其中一個實施例中，所述步驟2）、3）中鍍膜方法均采用真空磁控濺射鍍膜法。

在其中一個實施例中，步驟1）中所述抽真空壓強至4.0×10^-3～6.0×10^-3Pa。

在其中一個實施例中，步驟1）中所述升溫溫度至100～150℃。

在其中一個實施例中，步驟2）中所述通入Ar，使爐內壓強達到2~5Pa；步驟3）中所述充入Ar，使爐內壓強達到0.2~0.5Pa。

在其中一個實施例中，步驟2）中所述加載偏壓為-400V~-600V；步驟3）中所述加載偏壓為-50V~-100V。

在其中一個實施例中，步驟2）中所述沉積時間為8~15min；步驟3）中所述沉積時間為30~50min。

本發明方法采用真空磁控濺射PVD方法，使納米銀均勻分布，能夠起到全面防菌的目的；另外將納米銀裹在靶材中鍍膜，靶材可以起到保護納米銀的作用，保護了納米銀，增加了防菌膜的耐磨性，可以長時間防菌。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清晰，以下結合實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以更好地理解本發明的技術方案，并不用于限定本發明。

一種鍍制PVD防菌膜的方法，包括如下步驟：1）預處理：將工件表面洗凈，脫去氧化膜，放入真空爐內，抽真空，升溫；2）生成基礎膜層：啟動Ti弧靶，充入Ar，加載偏壓，在工件表面沉積Ti基礎薄膜；3）生成防菌膜層：關閉Ti弧靶，啟動含不超過10%納米銀的Mo弧靶，充入Ar，加載偏壓，在工件表面沉積防菌膜層。

沉積一層Ti薄膜，能夠活化工件表面，提高表面能，能夠提高薄膜與工件表面的結合力。在此處也可以使用Cr弧靶，鍍一層Cr薄膜。