[發(fā)明專利]去噪方法、去噪裝置、柵極驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610076597.7
• 申請(qǐng)日: 2016-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN105528986B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 商廣良;韓承佑;韓明夫;鄭皓亮;姚星;崔賢植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/20
• 分類號(hào): G09G3/20;G11C19/18
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

本發(fā)明提供一種去噪方法、去噪裝置、柵極驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置。所述移位寄存器單元的去噪方法包括：從移位寄存器單元開啟后開始計(jì)時(shí)，得到移位寄存器單元的工作時(shí)間；根據(jù)該移位寄存器單元的工作時(shí)間、去噪晶體管的柵極電壓和去噪晶體管的初始閾值電壓得到去噪晶體管的當(dāng)前閾值電壓；根據(jù)該當(dāng)前閾值電壓調(diào)節(jié)去噪晶體管在去噪階段的柵極電壓，以控制在去噪階段所述去噪晶體管能夠開啟。本發(fā)明根據(jù)移位寄存器單元的工作時(shí)間、去噪晶體管的柵源電壓得到去噪晶體管的當(dāng)前閾值電壓，根據(jù)不斷增大的去噪晶體管的閾值電壓調(diào)節(jié)去噪晶體管的柵極電壓，以在去噪階段即使是去噪晶體管的閾值電壓增大，去噪晶體管也可以開啟工作，延長移位寄存器單元的壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種去噪方法、去噪裝置、柵極驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的移位寄存器單元包括去噪晶體管，在去噪階段所述去噪晶體管對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端和上拉節(jié)點(diǎn)進(jìn)行去噪，去噪晶體管的柵極接入下拉節(jié)點(diǎn)，所述下拉節(jié)點(diǎn)的電位一般由高電平直流電源或時(shí)鐘信號(hào)輸入端保持。現(xiàn)有的移位寄存器單元在工作時(shí)，高電平直流電源輸出的電壓值或時(shí)鐘信號(hào)輸入端的高電平值是不變的，然而隨著移位寄存器單元工作時(shí)間的增長，去噪晶體管受到應(yīng)力后閾值電壓會(huì)產(chǎn)生漂移，即使當(dāng)下拉節(jié)點(diǎn)的電位由時(shí)鐘信號(hào)輸入端保持從而去噪晶體管受到應(yīng)力的時(shí)間降低為50％，去噪晶體管也會(huì)產(chǎn)生由于柵源電壓不再大于閾值電壓而導(dǎo)致的不能開啟的問題。

圖1A是現(xiàn)有的一種移位寄存器單元的電路圖，在圖1A中，在復(fù)位階段和輸出截止保持階段，下拉節(jié)點(diǎn)PD(第一去噪晶體管T5的柵極和第二去噪晶體管T6的柵極都與PD連接)接入的信號(hào)與反相時(shí)鐘信號(hào)CLKB’相同。圖1B是現(xiàn)有的另一種移位寄存器單元的電路圖，在圖1B中，去噪晶體管也是T6，在復(fù)位階段和輸出截止保持階段，下拉節(jié)點(diǎn)PD(第一去噪晶體管T5的柵極和第二去噪晶體管T6的柵極都與PD連接)接入的信號(hào)與高電平VDD相同。在圖1A和圖1B中，INPUT標(biāo)示輸入端，RESET標(biāo)示復(fù)位端，PU標(biāo)示上拉節(jié)點(diǎn)，PD_CN標(biāo)示下拉控制節(jié)點(diǎn)，OUT標(biāo)示柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端，VSS標(biāo)示低電平，CLK標(biāo)示正相時(shí)鐘信號(hào)，T1標(biāo)示輸入晶體管，T2標(biāo)示第一復(fù)位晶體管，T3標(biāo)示上拉晶體管，T4標(biāo)示第二復(fù)位晶體管，T7標(biāo)示第一下拉節(jié)點(diǎn)控制晶體管，T8標(biāo)示第二下拉節(jié)點(diǎn)控制晶體管，T9標(biāo)示第一下拉控制節(jié)點(diǎn)控制晶體管，T10標(biāo)示第二下拉控制節(jié)點(diǎn)控制晶體管。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種去噪方法、去噪裝置、柵極驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中隨著移位寄存器單元工作時(shí)間的增加去噪晶體管的閾值電壓一直增大而導(dǎo)致去噪晶體管不再導(dǎo)通的問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種移位寄存器單元的去噪方法，所述移位寄存器單元包括去噪晶體管，所述去噪方法包括：

從移位寄存器單元開啟后開始計(jì)時(shí)，得到移位寄存器單元的工作時(shí)間；

根據(jù)該移位寄存器單元的工作時(shí)間、去噪晶體管的柵極電壓和去噪晶體管的初始閾值電壓得到去噪晶體管的當(dāng)前閾值電壓；

根據(jù)該當(dāng)前閾值電壓調(diào)節(jié)去噪晶體管在去噪階段的柵極電壓，以控制在去噪階段所述去噪晶體管能夠開啟。

實(shí)施時(shí)，所述根據(jù)該移位寄存器單元的工作時(shí)間、去噪晶體管的柵極電壓和去噪晶體管的初始閾值電壓得到去噪晶體管的當(dāng)前閾值電壓步驟包括：

根據(jù)以下公式得到去噪晶體管的當(dāng)前閾值電壓Vt：