[發明專利]去噪方法、去噪裝置、柵極驅動電路和顯示裝置

有效

• 申請號: 201610076597.7
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105528986B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 商廣良;韓承佑;韓明夫;鄭皓亮;姚星;崔賢植
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G11C19/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種移位寄存器單元的去噪方法，所述移位寄存器單元包括去噪晶體管，其特征在于，所述去噪方法包括：

從移位寄存器單元開啟后開始計時，得到移位寄存器單元的工作時間；

根據該移位寄存器單元的工作時間、去噪晶體管的柵極電壓和去噪晶體管的初始閾值電壓得到去噪晶體管的當前閾值電壓；

根據該當前閾值電壓調節去噪晶體管在去噪階段的柵極電壓，以控制在去噪階段所述去噪晶體管能夠開啟；

所述根據該移位寄存器單元的工作時間、去噪晶體管的柵極電壓和去噪晶體管的初始閾值電壓得到去噪晶體管的當前閾值電壓步驟包括：

根據以下公式得到去噪晶體管的當前閾值電壓Vt：

V t = V t 0 + ( V g s - V t 0 ) · ( 1 - e [ - ( t × D C τ × f ) β ] ) ; ]]>

在上式中，Vt0是初始閾值電壓，t是移位寄存器單元的工作時間，Vgs是去噪晶體管的柵源電壓，f為第一系數，τ為第二系數，β為第三系數，DC為所述去噪晶體管的柵極接入的信號的占空比；

第一系數f是用于制作所述去噪晶體管的器件的材料工藝系數；

第二系數τ、第三系數β是根據所述去噪晶體管的閾值偏移特性預先擬合得到。