[發(fā)明專利]具低翹曲度的驅(qū)動晶片及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610076584.X
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107039235A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊毓儒;盧智宏
• 申請（專利權(quán)）人: 奕力科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/78;G09G3/36;G02F1/13;G02F1/1333
• 代理公司: 北京泰吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11355
• 代理人: 張雅軍

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體驅(qū)動晶片及其制造方法，特別是涉及一種具低翹曲度的驅(qū)動晶片，以及該具低翹曲度的驅(qū)動晶片的制造方法。

【背景技術(shù)】

在液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)朝向窄邊框及厚度更薄的設(shè)計趨勢下，用于驅(qū)動像素動作的驅(qū)動晶片的尺寸也無法避免地需朝向更細(xì)長且薄的設(shè)計目標(biāo)邁進(jìn)，然而，較長且薄的驅(qū)動晶片在成膜過程(Film Process)中會因?yàn)闅埩魬?yīng)力(Residual Stress)不易釋放而存有較嚴(yán)重的翹曲(Warpage)現(xiàn)象。具高翹曲度的驅(qū)動晶片，除了會讓操作機(jī)臺在外觀上因視覺辨識不良而造成取放(Pick up and Place)作業(yè)異常外，搬運(yùn)過程中，也較容易相對于承載盤(Tray)滑出而造成晶片損壞，另外，具高翹曲度的驅(qū)動晶片也會不利于下游LCD模塊制造商進(jìn)行粘合(Bonding)于玻璃基板(Chip on Glass,簡稱COG)的后段作業(yè)。

參閱圖1，現(xiàn)有一種如美國專利7169685號所公開的具低翹曲度的驅(qū)動晶片1，其包含一個包括呈反向設(shè)置的一個頂面111與一個底面112的基板11、一層形成于該基板11的該頂面111的驅(qū)動電路層12、一層用于保護(hù)該驅(qū)動電路層12表面的鈍化層13，及一層設(shè)置于該基板11的該底面112的應(yīng)力平衡層14。此方法主要是利用該應(yīng)力平衡層14來反向抵消在成膜過程中逐漸累積形成的殘留 應(yīng)力，借此改善驅(qū)動晶片的翹曲現(xiàn)象。雖然此種方法能有效制備具低翹曲度的驅(qū)動晶片1，但卻無法滿足驅(qū)動晶片朝薄型化發(fā)展的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的在于提供一種不僅能薄型化且能兼具低翹曲度，進(jìn)而有助于下游LCD模塊制造商進(jìn)行COG后段作業(yè)的具低翹曲度的驅(qū)動晶片。

本發(fā)明具低翹曲度的驅(qū)動晶片，包含一層配置電路層、一層第一介電層、一層第二介電層，及一種主絕緣材。

該配置電路層包括一個具有一個連接面的金屬區(qū)。

該第一介電層形成于該金屬區(qū)的該連接面。該第一介電層包括一個相反于該連接面的第一頂面。

該第二介電層形成于該第一介電層的該第一頂面。該第二介電層包括一個相反于該第一頂面的第二頂面，及多個自該第二頂面朝該第一介電層凹設(shè)的主溝槽。

該主絕緣材用于填設(shè)于所述主溝槽。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片，該第一介電層還包括多個自該第一頂面朝該金屬區(qū)凹設(shè)的次溝槽，及一種用于填設(shè)所述次溝槽的次絕緣材。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片，所述次溝槽不連通該金屬區(qū)，所述主溝槽不連通該第一介電層。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片，該配置電路層的該金屬區(qū)厚度介于0.5微米至1.5微米間。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片，該第一介電層厚度介于0.3 微米至0.8微米間。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片，該第二介電層厚度介于0.5微米至1微米間。

本發(fā)明的有益效果，通過利用多個自該第二頂面朝該第一介電層凹設(shè)的主溝槽，來局部釋放成膜過程中所累積的殘留應(yīng)力，借此達(dá)成降低晶片整體翹曲度的目的。

本發(fā)明的另一個目的，在于提供一種具低翹曲度的驅(qū)動晶片的制造方法。

本發(fā)明具低翹曲度的驅(qū)動晶片的制造方法是用來制造如上述所述的具低翹曲度的驅(qū)動晶片，并且包含下列步驟：(A)前段作業(yè):提供一個包含一層配置電路層的晶圓，該配置電路層包括一個具有一個連接面的金屬區(qū)，該晶圓還包含一層形成于該連接面上的第一介電層，及多個晶圓切割道。(B)沉積作業(yè):形成一層第二介電層在該第一介電層上。(C)應(yīng)力釋放作業(yè):在該第二介電層形成多個主溝槽，并于所述主溝槽內(nèi)填設(shè)有一種主絕緣材。(D)切割作業(yè):利用一個切割刀沿著已完成應(yīng)力釋放作業(yè)的該晶圓的每一個晶圓切割道切割，以形成多個具低翹曲度的驅(qū)動晶片。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片的制造方法，在該步驟(A)中的該第一介電層包括一個第一頂面，及多個自該第一頂面朝該金屬區(qū)凹設(shè)的次溝槽，且于所述次溝槽內(nèi)填設(shè)一種次絕緣材，所述次溝槽不連通該金屬區(qū)。

本發(fā)明的具低翹曲度的驅(qū)動晶片的制造方法，在該步驟(A)中的所述次溝槽分別能采用蝕刻方式或是雷射熔出方式成型，該步驟(C)中的所述主溝槽不連通該第一介電層，且分別能采用蝕刻方式或是 雷射熔出方式成型。