[發明專利]具低翹曲度的驅動晶片及其制造方法

在審

• 申請號: 201610076584.X
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107039235A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 楊毓儒;盧智宏
• 申請（專利權）人: 奕力科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/78;G09G3/36;G02F1/13;G02F1/1333
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司11355
• 代理人: 張雅軍

1.一種具低翹曲度的驅動晶片，包含一層配置電路層、一層第一介電層，及一層第二介電層，該配置電路層包括一個具有一個連接面的金屬區，該第一介電層形成于該金屬區的該連接面，并包括一個相反于該連接面的第一頂面，該第二介電層形成于該第一介電層的該第一頂面，并包括一個相反于該第一頂面的第二頂面，其特征在于：

該第二介電層還包括多個自該第二頂面朝該第一介電層凹設的主溝槽，該具低翹曲度的驅動晶片還包含一種用于填設所述主溝槽的主絕緣材。

2.根據權利要求1所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：該第一介電層還包括多個自該第一頂面朝該金屬區凹設的次溝槽，及一種用于填設所述次溝槽的次絕緣材。

3.根據權利要求2所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：所述次溝槽不連通該金屬區，所述主溝槽不連通該第一介電層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：該配置電路層的該金屬區厚度介于0.5微米至1.5微米間。

5.根據權利要求4所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：該第一介電層厚度介于0.3微米至0.8微米間。

6.根據權利要求4所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：該第二介電層厚度介于0.5微米至1微米間。

7.一種具低翹曲度的驅動晶片的制造方法，其特征在于：包含下列步驟:

(A)前段作業:提供一個包含一層配置電路層的晶圓，該配置電路層包括一個具有一個連接面的金屬區，該晶圓還包含一層形成于該連接面上的第一介電層，及多個晶圓切割道；

(B)沉積作業:形成一層第二介電層在該步驟(A)中的該第一介電層；

(C)應力釋放作業:在該步驟(B)的該第二介電層形成多個主溝槽，并于所述主溝槽內填設一種主絕緣材；及

(D)切割作業:利用一個切割刀沿著該步驟(C)的該晶圓的每一個晶圓切割道切割，以形成多個具低翹曲度的驅動晶片。

8.根據權利要求7所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：在該步驟(A)中的該第一介電層包括一個第一頂面，及多個自該第一頂面朝該金屬區凹設的次溝槽，且于所述次溝槽內填設一種次絕緣材，所述次溝槽不連通該金屬區。

9.根據權利要求8所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：在該步驟(A)中的所述次溝槽分別能采用蝕刻方式或是雷射熔出方式成型，該步驟(C)中的所述主溝槽不連通該第一介電層，且分別能采用蝕刻方式或是雷射熔出方式成型。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的具低翹曲度的驅動晶片，其特征在于：該步驟(A)中所述的該金屬區厚度介于0.5微米至1.5微米間，該步驟(A)中所述的該第一介電層厚度介于0.3微米至0.8微米間，及該步驟(B)中所述的該第二介電層厚度介于0.5微米至1微米間。