[發明專利]一種GPP整流二極管在審
| 申請號： | 201610075759.5 | 申請日： | 2016-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN105529368A | 公開（公告）日： | 2016-04-27 |
| 發明（設計）人： | 黃仲濬;蔣文甄 | 申請（專利權）人： | 泰州優賓晶圓科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/367;G01R31/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 225500 江蘇省泰州市姜*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gpp 整流二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種GPP二極管，其特征在于，包括p型半導體電極、n型半導體電極以及所述p型半導體電極與n型半導體電極相互燒結而成的結界面，結面上附著有GPP芯片，p型半導體電極與n型半導體電極分別連接有p極弱電檢測裝置和n極弱電檢測裝置。
2.根據權利要求1所述的一種GPP二極管，其特征在于:所述p型半導體電極與n型半導體電極連接處采用聚合硅燒結，且外部設有由高硼硅玻璃制成的電極電路保護殼。
3.根據權利要求1所述的一種GPP二極管，其特征在于:所述電極電路保護殼外側設有硅脂涂層。
4.根據權利要求3所述的一種GPP二極管，其特征在于:所述電極電路保護殼的厚度為1-2mm。
5.根據權利要求1所述的一種GPP二極管，其特征在于:所述p極弱電檢測裝置和n極弱電檢測裝置設于電極電路保護殼外側。
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