[發明專利]一種GPP整流二極管在審
| 申請號: | 201610075759.5 | 申請日: | 2016-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN105529368A | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發明(設計)人: | 黃仲濬;蔣文甄 | 申請(專利權)人: | 泰州優賓晶圓科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/367;G01R31/26 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gpp 整流二極管 | ||
技術領域
本發明涉及二極管領域,具體涉及一種GPP整流二極管。
背景技術
GPP玻璃鈍化器件,Gpp是Glassivation(玻璃化)passivation(鈍化)parts(元件)orpartsofanapparats(器件)詞組的縮寫,是玻璃鈍化類器件的統稱,它泛指引入或包含有結質膜保護工藝手段的全部有源器件??墒?,由于玻璃鈍化工藝措施對結界面裸露于體外的多種平面類二極管應用效果更為顯著,并且已成為成功的典型應用,從而使Gpp(Glassivationpassivationparts)逐漸成為了“玻璃鈍化二極管”的代名詞了。
現有技術中的GPP二極管裝配不便,且導通測試較為繁瑣,散熱性差。
發明內容
本發明的目的在于提供一種GPP整流二極管,以解決現有技術中導致的上述多項缺陷。
一種GPP整流二極管,包括p型半導體電極、n型半導體電極以及所述p型半導體電極與n型半導體電極相互燒結而成的結界面,結面上附著有GPP芯片,p型半導體電極與n型半導體電極分別連接有p極弱電檢測裝置和n極弱電檢測裝置。
優選的,所述p型半導體電極與n型半導體電極連接處采用聚合硅燒結,且外部設有由高硼硅玻璃制成的電極電路保護殼。
優選的,所述電極電路保護殼外側設有硅脂涂層。
優選的,所述電極電路保護殼的厚度為1-2mm。
優選的,所述p極弱電檢測裝置和n極弱電檢測裝置設于電極電路保護殼外側。
本發明的有益效果:該種GPP整流二極管,電流由N型向P型單一方向流過,應用其整流的功能,在其界面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場,形成小型電容積單位,當外加電壓等于零時,由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態,電壓從N極流向P極時中間GPP芯片控制電流形成微定量電泳泳向p電極,防止電壓電流過大燒毀二極管,內部電容單位相當于小型的紐扣電池,用來維護別的元器件保持電流通路一直存在,所述弱點監測裝置能夠檢測出電壓和電流情況,便于知曉電路的導通,且本發明的二極管散熱性也較好。
附圖說明
圖1為本發明所述的一種GPP整流二極管的結構示意圖。
其中:1—P電極弱電檢測裝置,2—P半導體電極,3—N半導體電極,4—GPP芯片,5—電容質,6—硅脂涂層,7—電極電路保護殼,8—N電極弱電檢測裝置,9—結界面。
具體實施方式
為使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本發明。
如圖1所示,一種GPP整流二極管,包括p型半導體電極2、n型半導體電極3以及所述p型半導體電極2與n型半導體電極3相互燒結而成的結界面9,結面上附著有GPP芯片4,p型半導體電極2與n型半導體電極3分別連接有p極弱電檢測裝置1和n極弱電檢測裝置8,該種二極管只允許電流由N型向P型單一方向流過,應用其整流的功能,在其界面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場,形成小型電容積單位,當外加電壓等于零時,由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態,這是常態下的二極管特性,所述弱點監測裝置能夠檢測出電壓和電流情況,便于知曉電路的導通。
在本實施例中,所述p型半導體電極2與n型半導體電極3連接處采用聚合硅燒結,且外部設有由高硼硅玻璃制成的電極電路保護殼7,所述電極電路保護殼7的厚度為1-2mm。
在本實施例中,所述電極電路保護殼7外側設有硅脂涂層6。
在本實施例中,所述p極弱電檢測裝置1和n極弱電檢測裝置8設于電極電路保護殼7外側。
基于上述,該種GPP整流二極管,由p型半導體電極2連接n型半導體電極3,并且在燒結成一個結界面9,結界面9上聚合有GPP芯片4,聚合GPP芯片4周圍在通電情況下電容單位5會形成自建電場可以儲存電量。在斷電情況下電容單位5向P,N兩極的弱電檢測裝置供電,保證檢測裝置正常運行,而且電量可以保護任何連通著的電器元件。
由技術常識可知,本發明可以通過其它的不脫離其精神實質或必要特征的實施方案來實現。因此,上述公開的實施方案,就各方面而言,都只是舉例說明,并不是僅有的。所有在本發明范圍內或在等同于本發明的范圍內的改變均被本發明包含。
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