[發明專利]一種硅整流二極管

在審

• 申請號: 201610075454.4
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105552111A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 黃仲濬;蔣文甄
• 申請（專利權）人: 泰州優賓晶圓科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861;H01L23/31;H01L23/49
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及二極管領域，具體涉及一種硅整流二極管。

背景技術

膨化機是食品機械中常見的一種機械設備，其作用是將原物膨化到90倍以上，主要以面粉、大米、玉米、高粱米、黃米等為原料，添加各種調料，利用自身發熱能將原物膨化成90倍以上的膨化果，現有的膨化機機器多為整體式，結構復雜不易拆卸、修理，且不適用于家用。

發明內容

本發明的目的在于提供一種硅整流二極管，以解決現有技術中導致的上述多項缺陷。

一種硅整流二極管，包括晶粒、引線裝置和環氧塑封體，所述引線裝置包括上引線裝置和下引線裝置，所述上引線裝置和下引線裝置分別連接晶粒的上端和下端，所述環氧塑封體包裹著除上引線裝置和下引線裝置的外端面之外的整個二極管部分，所述上引線裝置和下引線裝置均通過焊料焊接于晶粒上，所述晶粒采用半導體硅制作。

優選的，所述上引線裝置和下引線裝置均為丁字型結構。

優選的，所述上引線裝置和下引線裝置均包括連接層、防護層、凸臺和引線，所述連接層、防護層和引線層疊設置，所述凸臺設于引線前端。

優選的，所述晶粒與連接層連接面的表面積相等。

優選的，所述上引線裝置和下引線裝置的連接層和防護層直徑為1.5mm，所述引線直徑為0.5mm。

本發明的有益效果：該種硅整流二極管，通過該種結構設計，由于該半導體硅制作的晶粒的PN結較厚，并且外表采用阻介系數較高的環氧模封體封裝，使得該二極管在將交變電流轉換成直流時可以保證電流的大小和穩定性，且在制作過程中將引線裝置和晶粒作了改進后連接在一起，在減少了產品體積和原材料消耗的同時還保證了產品的性能，所述環氧塑封體可以有效保護二極管內的晶粒和引線轉置不被氧化，該種硅整流二極管可廣泛適用于各種整流二極管的使用場合，且體積較小，成本低，值得推廣，所述上引線裝置和下引線裝置均為丁字型結構，可以兼顧該二極管整體體積和防護功能，在保證安全通過最大電流的前提下盡量較少產品體積，所述上引線裝置和下引線裝置均包括連接層、防護層、凸臺和引線，所述連接層、防護層和引線層疊設置，所述凸臺設于引線前端，該種結構可以保證二極管可以承受較高的反向電壓，防護層可以防止引線加工時污染晶粒，所述晶粒與連接層連接面的表面積相等，可以最大化二極管傳輸電流效率，所述上引線裝置和下引線裝置的連接層和防護層直徑為1.5mm，所述引線直徑為0.5mm，該直徑大小大于理論上接受最大電流的最小直徑。

附圖說明

圖1為本發明所述的一種硅整流二極管的結構示意圖。

圖2為本發明所述的一種硅整流二極管的上引線裝置部分的結構示意圖。

其中：1—晶粒，2—上引線裝置，3—下引線裝置，4—環氧塑封體，5—連接層，6—防護層，7—凸臺，8—引線。

具體實施方式

為使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施方式，進一步闡述本發明。

如圖1和圖2所示，一種硅整流二極管，包括晶粒1、引線裝置和環氧塑封體4，所述引線裝置包括上引線裝置2和下引線裝置3，所述上引線裝置2和下引線裝置3分別連接晶粒1的上端和下端，所述環氧塑封體4包裹著除上引線裝置2和下引線裝置3的外端面之外的整個二極管部分，所述上引線裝置2和下引線裝置4均通過焊料焊接于晶粒1上，所述晶粒1采用半導體硅制作。該種硅整流二極管，通過該種結構設計，由于該半導體硅制作的晶粒1的PN結較厚，并且外表采用阻介系數較高的環氧模封體4封裝，使得該二極管在將交變電流轉換成直流時可以保證電流的大小和穩定性，且在制作過程中將引線裝置和晶粒1作了改進后連接在一起，在減少了產品體積和原材料消耗的同時還保證了產品的性能，所述環氧塑封體4可以有效保護二極管內的晶粒1和引線轉置不被氧化，該種硅整流二極管可廣泛適用于各種整流二極管的使用場合，且體積較小，成本低，值得推廣。