[發明專利]一種硅整流二極管在審

申請號：	201610075454.4	申請日：	2016-02-03
公開（公告）號：	CN105552111A	公開（公告）日：	2016-05-04
發明（設計）人：	黃仲濬;蔣文甄	申請（專利權）人：	泰州優賓晶圓科技有限公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06;H01L29/861;H01L23/31;H01L23/49
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	225500 江蘇省泰州市姜***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種整流二極管
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【權利要求書】：

1.一種硅整流二極管，其特征在于，包括晶粒、引線裝置和環氧塑封體，所述引線裝置包括上引線裝置和下引線裝置，所述上引線裝置和下引線裝置分別連接晶粒的上端和下端，所述環氧塑封體包裹著除上引線裝置和下引線裝置的外端面之外的整個二極管部分，所述上引線裝置和下引線裝置均通過焊料焊接于晶粒上，所述晶粒采用半導體硅制作。

2.根據權利要求1所述的一種硅整流二極管，其特征在于：所述上引線裝置和下引線裝置均為丁字型結構。

3.根據權利要求1所述的一種硅整流二極管，其特征在于：所述上引線裝置和下引線裝置均包括連接層、防護層、凸臺和引線，所述連接層、防護層和引線層疊設置，所述凸臺設于引線前端。

4.根據權利要求3所述的一種硅整流二極管，其特征在于：所述晶粒與連接層連接面的表面積相等。

5.根據權利要求4所述的一種硅整流二極管，其特征在于：所述上引線裝置和下引線裝置的連接層和防護層直徑為1.5mm，所述引線直徑為0.5mm。

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