[發(fā)明專利]一種對電子元器件進行抗干擾處理的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610074711.2
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105720042A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李輝輝;左正笏;陳志剛;徐庶;韓谷昌;蔣信;劉瑞盛;孟皓;劉波
• 申請（專利權(quán)）人: 中電海康集團有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 杭州之江專利事務(wù)所(普通合伙) 33216
• 代理人: 張慧英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電磁屏蔽和抗輻照領(lǐng)域，尤其涉及一種對電子元器件進行抗干擾處理的方法。

背景技術(shù)

對電子元器件進行電磁屏蔽或抗輻照強化，可以極大地提高電子器件和集成電路的工作穩(wěn)定性和使用壽命，具有重要的工業(yè)應(yīng)用價值，尤其是在鐵路交通、核能、航空航天、軍工、地質(zhì)探測、醫(yī)療等眾多與此緊密相關(guān)的行業(yè)。隨著磁旋存儲及傳感器件的發(fā)展，尤其是高頻元器件的發(fā)展，電子器件對電磁屏蔽和抗輻照的要求越來越高。核能及空間應(yīng)用的快速發(fā)展也推動了對電磁屏蔽和抗輻照的需求。傳統(tǒng)的電磁屏蔽和抗輻照方法，利用較厚的金屬鍍層或鉛板等金屬殼體對電子器件進行保護，其缺點是工藝復(fù)雜、制備成本高昂，且尺寸大、體積重，不利于系統(tǒng)集成及小型化，尤其在航天領(lǐng)域。隨著科技的發(fā)展，新材料和新的物理效應(yīng)不斷應(yīng)用到電磁屏蔽和抗輻照中。例如，輕便、高強度、高導(dǎo)電性能的石墨烯和碳纖維材料，高磁導(dǎo)率和磁化強度的非晶納米粉及非晶絲材料、抗輻射的重金屬納米粉體等。通過選用合適的溶劑類型、選用不同的混合濃度以及不同的材料組合，可以實現(xiàn)具有不同磁電特性的膠體材料。最終通過封裝和固化過程，為電子器件制備獲得優(yōu)良的電磁屏蔽和抗輻照強化保護層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為克服上述的不足之處，目的在于提供一種對電子元器件進行抗干擾處理的方法，包括液態(tài)封裝材料的制備，液態(tài)封裝材料對電子元器件的封裝以及封裝完后對液態(tài)封裝材料的固化成型處理；由于液態(tài)封裝材料的輕便性、可摻雜性、易流動性及豐富的可加工性能，該封裝方法可以不受材料及電子器件形狀和結(jié)構(gòu)的限制，具有工藝簡單、可靠性好、靈活性高的優(yōu)點。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案達到上述目的：一種對電子元器件進行抗干擾處理的方法，利用摻雜有電磁屏蔽材料或抗輻照材料的液態(tài)封裝材料對固定在載體上的電子元器件進行封裝處理，并對封裝在電子元器件表面的液態(tài)封裝材料進行固化成型處理。

作為優(yōu)選，所述摻雜有電磁屏蔽材料或抗輻照材料的液態(tài)封裝材料由液態(tài)粘合劑與電磁屏蔽或抗輻照材料混合摻雜制備得到，電磁屏蔽材料或抗輻照材料均勻分散于液態(tài)粘合劑中，摻雜濃度視具體應(yīng)用場景進行調(diào)整。

作為優(yōu)選，所述的液態(tài)粘合劑為有機溶劑、樹脂、塑料、橡膠、玻璃中的任意一種。

作為優(yōu)選，所述電磁屏蔽材料為磁粉、非晶粉、非晶絲、金屬粉、金屬線、石墨、碳納米管中的任意一種或幾種組合；所述的抗輻照材料為重金屬化合物、纖維增強材料、稀土金屬氧化物、陶瓷粉末、樹脂中的任意一種或幾種組合。

作為優(yōu)選，所述載體為PCB板、懸掛裝置、連線中的任意一種。

作為優(yōu)選，所述的封裝處理為灌注、旋涂、塑封中的任意一種或幾種組合。

作為優(yōu)選，所述附在載體上的電子元器件數(shù)目為一個或多個。

作為優(yōu)選，所述固化成型處理包括烘烤、紫外光照、氧化、交聯(lián)、熱壓。

作為優(yōu)選，所述的電子元器件還可不依附于載體進行封裝處理，待固化成型處理完成后固定在載體上。

作為優(yōu)選，所述的電子元器件為中央處理器、內(nèi)存器、緩存器、MRAM、Flash、SSD、硬盤、傳感器、高頻器件、導(dǎo)線、集成電路中的任意一種。

本發(fā)明的有益效果在于：(1)本發(fā)明方法對電子元器件進行處理后，可降低外磁場及輻照對電子元器件的干擾，本方法不受限于電子元器件外形和封裝材料種類，簡單靈活、成本低、適用面廣；(2)具有工藝簡單、可靠性好、靈活性高的優(yōu)點，具有良好的應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例1抗干擾處理方法示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例2抗干擾處理方法示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行進一步描述，但本發(fā)明的保護范圍并不僅限于此：

實施例1：如圖1所示，一種對電子元器件進行抗干擾處理的方法，包括如下步驟：

(1)制備得到摻雜有電磁屏蔽材料或抗輻照材料的液態(tài)封裝材料1，并將液態(tài)封裝材料1盛放在容器4中；

所述的液態(tài)封裝材料由液態(tài)粘合劑與電磁屏蔽材料或抗輻照材料混合摻雜制備得到，電磁屏蔽材料或抗輻照材料均勻地分散于液態(tài)粘合劑中；制備時，將電磁屏蔽材料或抗輻照材料混合在液態(tài)粘合劑中得到液態(tài)封裝材料；所述的液態(tài)粘合劑為有機溶劑、樹脂、塑料、橡膠、玻璃中的任意一種；所述電磁屏蔽材料為磁粉、非晶粉、非晶絲、金屬粉、金屬線、石墨、碳納米管中的任意一種或幾種組合，所述的抗輻照材料為重金屬化合物、纖維增強材料、稀土金屬氧化物、陶瓷粉末、樹脂中的任意一種或幾種組合。