[發(fā)明專利]一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610074711.2
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105720042A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李輝輝;左正笏;陳志剛;徐庶;韓谷昌;蔣信;劉瑞盛;孟皓;劉波
• 申請（專利權(quán)）人: 中電海康集團(tuán)有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 杭州之江專利事務(wù)所(普通合伙) 33216
• 代理人: 張慧英

1.一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于，利用摻雜有電磁屏蔽材料或抗輻照材料的液態(tài)封裝材料對固定在載體上的電子元器件進(jìn)行封裝處理，并對封裝在電子元器件表面的液態(tài)封裝材料進(jìn)行固化成型處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述摻雜有電磁屏蔽材料或抗輻照材料的液態(tài)封裝材料由液態(tài)粘合劑與電磁屏蔽材料或抗輻照材料混合摻雜制備得到，制備時(shí)將電磁屏蔽材料或抗輻照材料均勻分散于液態(tài)粘合劑中，摻雜濃度不限。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述的液態(tài)粘合劑為有機(jī)溶劑、樹脂、塑料、橡膠、玻璃中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述電磁屏蔽材料為磁粉、非晶粉、非晶絲、金屬粉、金屬線、石墨、碳納米管中的任意一種或幾種組合；所述的抗輻照材料為重金屬化合物、纖維增強(qiáng)材料、稀土金屬氧化物、陶瓷粉末、樹脂中的任意一種或幾種組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述載體為PCB板、懸掛裝置、連線中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述附在載體上的電子元器件數(shù)目為一個(gè)或多個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述的封裝處理為灌注、旋涂、塑封中的任意一種或幾種組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述固化成型處理包括烘烤、紫外光照、氧化、交聯(lián)、熱壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述的電子元器件還可不依附于載體進(jìn)行封裝處理，待固化成型處理完成后固定在載體上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對電子元器件進(jìn)行抗干擾處理的方法，其特征在于：所述的電子元器件為中央處理器、內(nèi)存器、緩存器、MRAM、Flash、SSD、硬盤、傳感器、高頻器件、導(dǎo)線、集成電路中的任意一種。